北京
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国家知识产权局信息显示，上海交通大学;郑州祥中建设开发有限公司申请一项名为“同心圆结构铜热沉”的专利，公开号CN121772740A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，一种同心圆结构铜热沉，包括：设置于芯片的待热沉表面的中心主圆以及若干位于其外部不同半径的同心设置的外部圆环，其中：各个外部圆环之间及其与中心主圆之间通过半径方向的连接杆相连。本发明满足先进大功率芯片工作过程对散热以及维持可靠性的需求，在芯片工作时有效提高QFN整体的散热能力的同时，有效降低封装体内部由于热管理不当产生的热应变问题，同时满足封装领域的性价比要求。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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