北京
国家知识产权局信息显示，西安唐晶量子科技有限公司申请一项名为“GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统”的专利，公开号CN121772236A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本说明书实施例提供GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统，包括：数据采集模块用于实时监测衬底托盘不同位置的实际温度和外延层生长厚度；温度调控模块用于根据预设目标温度范围独立调节各区域温度以形成温度梯度分布；载气控制模块用于根据温度调节结果动态调整载气流量以维持反应气体均匀分布和反应速率稳定；生长速率监测模块用于比较实测生长厚度与理论设计厚度并在偏差超过设定阈值时触发补偿调整；模型处理模块用于建立温度‑载气量‑生长速率之间的数学模型以预测和优化生长过程。通过系统化集成各功能模块，实现了外延生长过程的精准控制和智能化管理，显著提高了产品一致性和生产效率。
天眼查资料显示，西安唐晶量子科技有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本4108.612516万人民币。通过天眼查大数据分析，西安唐晶量子科技有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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