北京
国家知识产权局信息显示，安徽大鹏半导体有限公司申请一项名为“一种功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121751655A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件及其制备方法。该功率器件制备方法包括：提供一衬底，在衬底的表面形成外延层；对外延层的表面进行离子注入，形成有源区；将预设掩膜版贴附于外延层的表面，并通过湿法刻蚀持续预设刻蚀时长，以在外延层形成多个目标宽度的分压环，且相邻分压环之间具有均一的间距；其中，预设掩膜版的图形具有预设宽度，预设宽度小于宽度经验值，预设刻蚀时长大于刻蚀时长经验值；对衬底进行背面减薄，形成缓冲层；在缓冲层远离衬底的一侧形成背面金属层。本发明实施例的技术方案有利于提升功率器件的耐压均匀性，提高产品良率，并有效降低对制备工艺的要求。
天眼查资料显示，安徽大鹏半导体有限公司，成立于2021年，位于马鞍山市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽大鹏半导体有限公司参与招投标项目8次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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