北京
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国家知识产权局信息显示，埃德迪私人有限责任公司申请一项名为“垂直场效应装置及其制造方法”的专利，公开号CN121753501A，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本发明关于一种垂直场效应晶体管(FET)。根据本发明的垂直FET包括基板及配置为晶体管的源极或漏极的第一电极。所述装置包括配置为晶体管的源极及漏极中的另一个的第二电极，第二电极至少部分地在重叠区域与所述第一电极重叠。此外，所述装置包括夹在第一电极与第二电极之间的主动层以及具有栅极导体部及栅极绝缘层的栅极，栅极绝缘层被配置在主动层及栅极导体部之间，以避免主动层及栅极导体部的直接接触。主动层包括配置成纵轴大致与基板平行的1D材料，及/或配置成平面大致与基板平行的2D材料。本发明进一步包括用于制造这种垂直场效应晶体管的方法以及制造互补逻辑装置的方法。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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