北京
国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“SRAM共享接触孔的测试结构和方法”的专利，公开号CN121666032A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SRAM共享接触孔的测试结构和方法，属于半导体技术领域，该SRAM共享接触孔的测试结构，包括至少一基本单元，所述基本单元包括：有源区，通过隔离结构定义在衬底中；至少一多晶硅，位于所述衬底上并横跨隔离结构和所述有源区的交界，多晶硅的两侧附着有侧墙；第二金属硅化物，被布置在有源区的顶面；共享接触孔，设置在所述多晶硅、侧墙和第二金属硅化物上，通过测试共享接触孔的接触电阻，监控所述侧墙的刻蚀状况，在刻蚀共享接触孔前的侧墙宽度不小于所述第二金属硅化物的宽度。通过SRAM共享接触孔的测试结构，测试共享接触孔的接触电阻，实现对共享接触孔底部金属硅化物完整性的评估，进而实现对相关工艺稳定性的监控。
天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司参与招投标项目64次，专利信息161条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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