突围之战！长鑫存储HBM路线图曝光，2026年量产能否撼动三星、海力士？

一份来自摩根士丹利的研究报告，揭开了中国存储芯片巨头长鑫存储冲击高端市场的雄心。

作为中国最具战略意义的存储芯片制造商，长鑫存储正试图在三星、SK海力士和美光主导的市场中，为中国实现半导体自给自足开辟道路。

01 路线图：从HBM2E到HBM3E

根据摩根士丹利的研究报告，长鑫存储计划在2026年上半年开始大规模生产HBM2E。这一进展标志着该公司在HBM领域的突破，尤其是在AI和高性能计算需求不断增长的背景下。

预计到2025年中，长鑫存储将实现小规模量产，并逐步过渡到全面量产。

关于更先进的HBM3，韩国媒体《金融新闻》报道称，长鑫存储计划在2025年底前交付HBM3样品，并预计从2026年开始全面量产。

更长远的目标是，在2027年开发第五代HBM（HBM3E），旨在缩小与三星、SK海力士和美光等国际巨头的技术差距。

从技术代际对比来看，长鑫存储的HBM发展步伐明显晚于国际巨头。SK海力士早在2020年就已推出HBM2E，2022年推出HBM3，2024年推出HBM3E；三星的节奏类似；美光则在2021年就推出了HBM3。

相比之下，长鑫存储直到2024年才进入HBM2阶段，显示出明显的追赶态势。

02 产能规划：雄心勃勃的扩张计划

摩根士丹利报告显示，到2026年底，长鑫存储的HBM产能将达到约1万片晶圆/月，到2028年底将扩大至4万片晶圆/月。这一增长目标反映了其对AI市场需求的响应。

然而，全球HBM产能预计到2025年底将达到34万片晶圆/月，因此长鑫存储仍有充足的发展空间。

在DRAM领域，长鑫存储计划到2025年底将DDR5/LPDDR5产能提升至11万片晶圆/月，占全球DRAM产能的6%。其中，5000至1万片晶圆/月的G3产能专供兆易创新，剩余的16万至16.5万片晶圆/月用于LPDDR4x和HBM研发。

长远来看，其产能可能进一步扩大至30万片晶圆/月以上（合肥工厂18万片晶圆/月，北京工厂12万片晶圆/月）。

03 技术挑战：无EUV光刻机的困境

长鑫存储在开发D1节点时可能面临重大挑战，因为该公司未使用极紫外（EUV）光刻技术，这可能在提高良率、减小芯片尺寸和扩大生产规模方面构成障碍。

TechInsights的分析显示，长鑫存储已经能够在1z纳米节点上制造DDR5芯片，但芯片尺寸相对较大，良率尚未得到完全验证。

长鑫存储的目标可能是复制美光在不使用EUV光刻技术的情况下开发的1α纳米DRAM，这一策略将为其HBM3E开发提供经验。

近期，长鑫存储推出了采用16纳米节点的16Gb DDR5芯片，比其目前的18纳米第三代DRAM小约20%。相比之下，三大DRAM制造商目前生产的1a/b纳米DDR5芯片尺寸为12-14纳米。

基于2021年主流的16Gb DDR5 DRAM生产，长鑫存储目前落后约3年。不过，其G4与1z纳米DDR5相似，未来可能瞄准服务器DRAM市场。

04 合作伙伴：封装技术的关键支持

长鑫存储的先进封装合作伙伴包括通富微电、长电科技和华天科技，这些合作关系对其HBM生产至关重要。例如，通富微电在HBM的TSV（硅通孔）技术和KGSD（键合技术）方面提供支持，提升了HBM2的性能和可靠性。

这些合作伙伴的技术能力将直接影响长鑫存储HBM产品的竞争力和市场接受度。

05 市场影响：IPO计划与竞争格局

近期中国证券公司的报告显示，长鑫存储已启动IPO辅导准备工作，同时该公司在生产先进HBM产品方面取得重大进展，可能挑战行业领导者。

然而，有传言称华为Pura 80的推出因长鑫存储供应的LPDDR5内存问题而延迟，如果属实，这可能不是IPO的最佳时机。

2025年，长鑫存储的DRAM芯片产量预计将占全球总量的约14%，但由于良率问题，其实际市场份额可能降至10%。

长鑫存储计划在2026年实现HBM2E量产，2027年开发HBM3E，但其产能规划与全球巨头相比仍有较大差距。到2028年4万片晶圆/月的HBM产能，仅相当于2025年全球预计产能的约12%。

长鑫存储的HBM发展路线图展示了中国在高端存储芯片领域的雄心，但要真正撼动三星、SK海力士和美光的市场地位，仍需在技术突破、产能扩张和市场接受度方面取得更大进展。

随着AI需求的持续增长，全球HBM市场的竞争将更加激烈，长鑫存储能否在这场高端存储芯片的突围战中取得成功，将直接影响中国在全球半导体产业链中的地位