北京
国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121568412A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：有源区；终端区，周向环绕有源区；终端区的衬底内包括扩展结，衬底上包括局部场氧化层、多晶硅场板；多晶硅场板位于局部场氧化层，以及靠近有源区一侧衬底的部分顶面上；金属层，包括位于有源区上的源极金属，及与源极金属电位相同，沿周向间隔排列于终端区上的导电插塞；金属层和多晶硅场板、有源区及局部场氧化层之间包括介质层；其中，有源区的衬底内包括沿朝向终端区方向延伸至与扩展结相接触的第一导电类型的阱区；导电插塞沿朝向衬底的方向延伸至与阱区相接触。在不影响Gate场板的功能，有源区特性以及可靠性的基础上提高器件UIS能力。
天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息89条，此外企业还拥有行政许可100个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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