北京
国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“一种单晶硅晶体缺陷分布的检测方法”的专利，公开号CN121558745A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种单晶硅晶体缺陷分布的检测方法，包括：切割单晶硅原料获得粗样品，对所述粗样品进行前处理得到预处理样品；对所述预处理样品依次进行一次腐蚀、热氧化处理、二次腐蚀与缺陷腐蚀，得到待测样品；利用光学显微镜获取待测样品表面的若干个图像数据，并分别识别每一个图像数据中的晶体缺陷密度，根据获取图像数据的测试位置，记录位置密度关联数据组；基于位置密度关联数据组，绘制以测试位置为横坐标，缺陷密度为纵坐标的缺陷径向分布图，并确认单晶硅晶体缺陷的分布方式。本发明的检测方法操作简单，避免引入污染，能够快速、准确地检测晶体缺陷的分布情况，为晶体生长工艺的调整提供指导。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息268条，此外企业还拥有行政许可193个。
重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息175条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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