Ampleon射频功率晶体管国防通信与电子对抗专用

　　Ampleon公司为满足国防通信和电子对抗等场景应用，提供了两种晶体管技术：硅横向双扩散金属氧化物半导体(Si LDMOS)和氮化镓碳化硅高电子迁移率晶体管(GaN-SiC HEMT)。

　　技术对比与应用场景

技术

电压范围

适用频段

典型功率

优势场景

Si LDMOS

28V - 65V

HF至L波段（<1 GHz）

10W - 1600W

多倍频程带宽、低成本、成熟工艺

GaN-SiC HEMT

50V

VHF至S波段（>1 GHz）

10W - 100W

高频宽带、低寄生电容、高线性度

Si LDMOS系列型号

PartNumber

OperatingVoltage

FrequencyRange
(instantaneous)

PowerLevel

PsatEff

PackageType

ApplicationReports

BLP15H9S10G

50V
35-50V

2 through 30 MHz
30 through 512 MHz

>10W
>4W

>50%
>25%

SOT1482-1

AR212123
AR212089

ART35FE

50-65V

2 through 30 MHz

>30W

>35%

SOT467C

AR212131

ART1K6FH

50V

2 through 30 MHz

>700 W

>55%

SOT539AN

AR212082

BLP15H9S30
2×BLP15H9S30

50V

30 through 1000 MHz
30 through 512 MHz

>25W
>50 W

>35%

SOT1482-1

AR212026
AR212058

BLP15H9S100

50V

30 through 800 MHz

>75W

>37%

SOT1482-1

AR212005

BLP15M9S30

32V

30 through 512 MHz

>25W

>50%

SOT1482-1

AR192035

BLP15M9S100

32V

148-175 and 400-470 MHz
(Only Narrow Band)

>90/100W

>45%

SOT1482-1

AR212114
AR202140

BLP974P

50 through 28V

30-512 MHz

400 Wat 50V

>50%

SOT539A

AR201250

BLP647P

32V

30-512 MHz

100Wat 28V

>58%

SOT1121A

AR212016

ART700FE

62V

30-512 MHz

>600 W(pulse)

45%

SOT1214A

Work in Progress

ART2KOFE

62V
50V

20 through 100 MHz

>1400 W
>1000 W

>60%
>60%

SOT539AN

Work in Progress

GaN-SiC HEMT系列型号

PartNumber

OperatingVoltage

FrequencyRange

PowerLevel

PackageType

ApplicationReports

CLF3H0060L-10

50V

200 through 3200 MHz

>10W

SOT1227A

AR212149

CLF3H0060L-30

50V

500 through 2500 MHz

>30W

SOT1227A

AR202113

CLF3H0035L(S)-100

50V

500 through 2500 MHz

>100W

SOT467C

AR202037

Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商，提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线，适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域，深圳市立维创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线，欢迎咨询了解。