北京
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“氧化层的生成方法、半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121555959A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种氧化层的生成方法、半导体结构的制备方法及半导体结构，氧化层的生成方法包括：在第一工艺参数下，通过原位蒸汽生成工艺在初始半导体结构的一侧形成第一氧化层；在第二工艺参数下，通过原位蒸汽生成工艺在第一氧化层与初始半导体结构之间形成第二氧化层；其中，第一氧化层和第二氧化层组成目标氧化层，第一氧化层的厚度和第二氧化层的厚度相互补偿，以使表征目标氧化层的厚度均一性的参数处于目标范围。本发明在氧化层生成阶段分两个阶段调节工艺参数，使两个阶段形成的氧化层的厚度互补，从而使最后形成的目标氧化层的厚度均一性满足加工需求。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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