北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种用于斜晶格试样的透射电镜样品制备方法”的专利，公开号CN121558434A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于斜晶格试样的透射电镜样品制备方法，涉及样品制备技术领域，为解决透射电镜拍摄过程中，难以对斜晶格试样采正带轴的问题而设计。该制备方法包括：获取斜晶格试样的样品薄片；其中，斜晶格试样的刻蚀方向与硅基底的晶体取向之间的夹角为θ，θ＜90°；提供载网，于载网构造垂直于硅基底的晶体取向的参考平面；载网绕设定轴线转动设定角度，以使参考平面与刻蚀方向平行或垂直；其中，设定轴线垂直于刻蚀方向与硅基底的晶体取向二者所在平面；样品薄片固定于载网，载网绕设定轴线反向转动设定角度。本发明便于对斜晶格试样采正带轴。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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