美国万万没想到，100%中国国产化的长江存储，正在美国狂扁美国人

谁能想到，几年前还被美国卡脖子的中国闪存芯片，现在反过来在美国本土跟巨头死磕？长江存储这波操作，真把美国人整懵了——不仅产能蹭蹭涨，专利战还赢了好几场，连三星都得低头授权，这事儿放5年前谁敢信？

闪存芯片市场本来就卷得要死，企业都在拼容量大、价格低。长江存储2016年才起步，一门心思扎进3D NAND技术里，2018年搞出个Xtacking架构，简单说就是把存储单元和电路分开造再拼起来，速度变快、散热更好，连生产时间都少了20%，这技术还拿了一堆专利，三星2025年都签了授权协议，怕跟它打官司输了吃亏。

长江存储还死磕设备国产化，2025下半年就要开第一条全用中国设备的NAND生产线，再也不怕供应链被卡脖子了！中微半导体供刻蚀机，北方华创给沉积设备，虽然光刻还靠上海微电子的90纳米机型，量测国产率低，但人家试验线已经跑通全流程了。现在每月能产13万片晶圆，全球占8%的份额，慢慢抢别人的蛋糕。

2025年9月长江存储注册了三期工厂，砸207亿，目标2027年投产，部分产能还要转去做DRAM和HBM，还跟本土组装商合作，国产化率已经到45%了，比行业平均高。良率虽然比国际巨头低15%，但人家通过优化控制了成本，232层芯片已经出货了，接口速度3600MT/s，还支持PCIe 5.0。

2025年长江存储试点全国产NAND线，供应链覆盖NAURA氧化炉和AMEC刻蚀机，工厂月产能规划10万片，总产能超30万片，2026年目标全球份额15%。就算2022年被美方列入实体清单，长江存储转头就用本土工具维持增长，美光现在NAND份额13.8%，长江存储正慢慢抢它的市场。

专利战更是打得火热！2023年11月长江存储直接在美国加州北区法院告美光，说它侵犯8项3D NAND专利，涉及形成、控制、直通阵列接触、读取和多层堆叠。美光不认，反过来告长江存储侵权，还申请专利局宣告长江12项专利无效。长江要求美光给核心文件，比如栅极厚度细节，美光说涉及国家安全，法院没理它，让保密披露。

2024年7月长江又追加11项专利，还扯到DRAM上了；2025年2月联邦巡回上诉法院维持原判，美光只能交73页工艺文档，比如蚀刻气体配方，还只能给外部律师看。美光急了，2025年5月找最高法院要紧急令阻止披露，结果没批准。

2025年6月长江又在华盛顿联邦法院告美光商业诽谤——美光跟DCI公关公司合作，搞了个“China Tech Threat”网站，说长江的芯片有间谍软件，害长江丢了不少订单。长江提交证据说网站内容全是瞎编的，美光还说这是言论自由，长江直接怼回去：你损害我生意了！

2025年10月长江在德州东区法院追加8项专利诉讼，涉及176到276层NAND，还在欧洲统一专利法院、英国高等法院、德国国家法院同时起诉。美光也没闲着，发起专利无效挑战，2026年1月专利局审了四起，长江的US10937806专利部分有效，US10658378部分无效；同月专利局驳回长江对美光两个专利的无效请求，还说国家安全为由，局长强调对中方企业审查更严。长江回应说实体清单跟专利没关系，撤销无效专利是为了公众利益。现在双方互告超过20项专利，从技术打到政治层面了。

2025年11月专利局驳回美光对长江US11600342专利的无效请求，因为美光引用的文献不够——这是长江在8起挑战里第一次赢，之前7起都是美光占优。同一天长江还在杜塞尔多夫的欧洲统一专利法院告美光侵犯三项3D NAND专利，同时在美国德州东区、英国高等法院立案，诉状附了3000页技术证据，德国法院定在2026年9月17日开庭，说美光从176层NAND到LPDDR5 DRAM都侵权了。

诉讼还在胶着，但长江在美国客场已经赢了一半案件；美光还在搞负面宣传，但法院要求拿证据。地缘因素影响下，说不定最后会和解？不过长江的三期工厂2026年投产，每月产能15万片，全球份额要冲到15%，到时候2TB固态硬盘能便宜好几百块，消费者直接受益！

长江存储的Xtacking专利让三星等巨头选择授权，避免纠纷；国产化线顺利运行，产能不断扩张，市场份额稳步上升。这波操作，真给中国芯长脸了！

参考资料：人民日报《长江存储：中国芯的突破之路》；科技日报《3D NAND技术创新：长江存储的实践与探索》