北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“全包围栅极晶体管及其形成方法”的专利，公开号CN121548063A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种全包围栅极晶体管及其形成方法，所述方法包括：提供包括衬底、凸立于衬底的分立的鳍部以及位于鳍部上的隔离牺牲结构，位于隔离牺牲结构上的沟道叠层的基底；在鳍部之间形成沟槽隔离层和伪鳍部，沟槽隔离层覆盖隔离牺牲结构的侧壁和伪鳍部的部分侧壁，且暴露沟道叠层的侧壁；形成跨过沟道叠层的伪栅结构；去除伪栅结构暴露的部分厚度的沟槽隔离层，暴露隔离牺牲结构，以剩余的沟槽隔离层作为浅沟槽隔离结构；去除伪栅结构侧壁暴露的隔离牺牲结构，形成第一容纳空间，其中，伪栅结构基于伪鳍部被固定在基底上；在第一容纳空间内形成底部沟道隔离结构；在伪栅结构占据的空间内形成栅极结构，提升全包围栅极晶体管的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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