北京
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“耐压IGBT器件及其沟道推进方法和栅极制备方法”的专利，授权公告号CN115662896B，申请日期为2022年10月。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1954次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1353条，此外企业还拥有行政许可200个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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