中国银河证券：存储价格延续上涨 预计本轮涨价周期将延续至2026年中

智通财经APP获悉，中国银河证券发布研报称，三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%-70%。本轮存储涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年中。当前时点是存储芯片赛道下一轮周期新起点，在AI服务器需求高速增长叠加国产替代，看好国内存储产业链相关上市公司投资机遇。

中国银河证券主要观点如下：

1月存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期

三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%-70%。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年中。目前存储涨价已对下游产业链产生显著冲击，消费电子终端厂商面临成本压力。根据TrendForce数据，2026年全球智能手机出货量预计年减2%，笔记本电脑Q1出货量可能减少14.8%。存储产品占手机BOM成本10%-20%，成本上涨将倒逼厂商调整产品结构和定价策略。

台积电25Q4单季度业绩大超预期，业绩创历史新高

台积电25Q4实现营收337.3亿美元，同比增长25.5%，环比增长1.9%，超出此前322-334亿美元的指引区间上限。净利润约163亿美元，同比增长35%，环比增长11.8%。

毛利率达到62.3%，同比提升3.3个百分点，环比提升2.8个百分点，创历史新高。营业利润率54%，净利率48.3%，均显著超出市场预期。制程结构优化，先进制程收入占比达77%，其中3nm制程占比28%，5nm占比35%，7nm占比14%。3nm制程已于2025年Q4进入大规模量产，良率表现良好，成为营收增长的核心引擎。成熟制程收入占比23%，呈现结构性复苏态势。

被动元器件与模拟产品价格提升，成本驱动为主因

1月被动元件市场迎来新一轮涨价潮。国巨、风华高科、顺络电子等头部厂商陆续发布涨价函，涨幅普遍在5%-30%之间。涨价主要受白银、铜、锡等原材料价格上涨驱动，叠加AI服务器、新能源汽车等高端需求增长。其中，MLCC、电感、电阻等产品价格均有不同程度上涨。ADI、德州仪器等海外巨头1月宣布涨价，涨幅10%-30%。国内模拟芯片厂商部分跟进调价。涨价原因包括晶圆代工成本上升、车规级和工业级需求旺盛、8英寸产能紧张等。模拟芯片作为电子系统基础器件，涨价将传导至下游多个应用领域。

标的方面

建议关注相关IC设计厂商兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、东芯股份(688110.SH)、北京君正(300223.SZ)、澜起科技(688008.SH)，以及存储模组厂商：德明利(001309.SZ)、香农芯创(300475.SZ)、江波龙(301308.SZ)等。同时建议关注AI相关PCB公司，包括胜宏科技(300476.SZ)、沪电股份(002463.SZ)、景旺电子(603228.SH)、科翔股份(300903.SZ)。

风险提示

下游需求不及预期的风险，同业竞争格局加剧的风险，新品研发不及预期的风险，供应链转移导致不确定性增加的风险。