北京
【CNMO科技消息】2月9日，全球市场研究公司Counterpoint发布的《2月内存价格追踪报告》显示，截至2026年第一季度，内存价格较2025年第四季度环比暴涨80%-90%，DRAM、NAND及HBM全品类价格均创下历史新高，市场呈现全品类、全板块全面加速上涨的态势。
据CNMO了解，本轮内存价格大幅攀升的主要推手是通用服务器DRAM价格的暴涨，此前在2025年第四季度表现平稳的NAND闪存，在2026年第一季度也同步迎来80%-90%的涨幅，叠加部分HBM3e产品价格走高，进一步推高了整体市场价格。其中服务器级内存价格涨幅尤为显著，64GB RDIMM合约价从2025年第四季度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上，且预计第二季度有望突破1000美元关口。
面对持续走高的内存成本，下游原始设备制造商（OEM）纷纷调整策略，通过减少单款设备的内存配置缓解成本压力，同时优先推出搭载LPDDR5的高端产品线，该领域的价格压力相对可控。智能手机厂商也采取了降配措施，削减设备DRAM容量，或采用性价比更高的QLC方案替代TLC固态硬盘。市场订单结构也随之变化，供应紧张的LPDDR4订单明显下滑，LPDDR5订单则随入门级芯片推出持续增长。
该机构指出，对设备厂商而言，零部件成本上涨叠加消费者购买力减弱，构成了双重打击。随着本季度推进，需求很可能放缓，这就要求OEM改变采购模式，或聚焦高端机型，通过提供更多价值来支撑更高的产品定价。
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