北京
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国家知识产权局信息显示，武汉大学;南通海门科创投资集团有限公司申请一项名为“集成电路布局优化方法、装置、设备、介质及产品”的专利，公开号CN121480425A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种集成电路布局优化方法、装置、设备、介质及产品，属于集成电路技术领域，该方法包括：获取第一深度学习模型，第一深度学习模型用于根据输入的集成电路布局预测与该集成电路布局对应的电磁干扰分布图和温度分布图；在仿真环境下随机初始化多个第一集成电路布局；采用强化学习算法优化多个第一集成电路布局，基于各个第一集成电路布局对应的奖励优化强化学习算法中策略网络的参数；在策略网络训练完毕后，基于训练完毕的策略网络进行集成电路布局优化；其中，强化学习算法的状态空间中包括第一集成电路布局的电磁干扰分布图和温度分布图。该方法能够有效减少集成电路布局优化结果中的电磁干扰和过热现象。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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