联手安森美，挑战英飞凌，英诺赛科如何搅动氮化镓棋局？

【摘要】半导体行业的竞争已演化为生态与体系的综合较量。

近期，英诺赛科管理层自愿锁仓与持续股份回购的内部动作，以及其与安森美（onsemi）签署谅解备忘录的外部合作，共同勾勒出这家中国氮化镓（GaN）IDM企业多线并进的战略图景。

一边，董事长承诺长期持有股份，公司持续回购用于激励，彰显了从核心层到骨干团队对公司技术路径与市场前景的坚定信心。

另一边，与系统集成及渠道能力突出的国际大厂安森美联手，意在补强短板，共同开拓工业、汽车等高阶市场。与此同时，与行业巨头英飞凌的专利交锋仍在继续，为其全球化之路增添变数。

内部定力、外部借力与知识产权压力并存，英诺赛科正在复杂局面中寻求突破。这场多维度的竞赛将如何影响氮化镓乃至功率半导体的未来格局？

以下是正文：

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攻坚号角：管理层锁仓与股份回购并行

近期，英诺赛科发布了两则公告，旨在向行业和企业内部，宣告自身对于公司基本面和未来发展的坚定信心。

2026年1月22日，英诺赛科发布自愿性公告，公司董事长兼执行董事骆薇薇博士自愿承诺，自即日起未来12个月内，不减持其直接及间接持有的共计约1.55亿股公司股份。

公告指出，此举基于对公司长远投资价值的充分认同。

在公告中，公司进一步强调了氮化镓技术在新能源汽车、数据中心、工业储能等关键领域的广阔市场前景，认为管理层此举有利于公司持续、稳定、健康发展。

同日另一份公告显示，公司2025年股份奖励计划的受托人已于1月21日从市场进一步购入126万股H股，总代价约7952.5万港元，用于员工激励。

这已是该计划自实施以来多次从市场回购股份，体现了公司通过股权激励绑定核心人才、共享成长红利的决心。

一系列动作表明，面对广阔的市场机遇，英诺赛科正试图在外部产业协作与内部治理激励上同步发力，为未来的竞争夯实基础，吹响市场攻坚的号角。

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内部透视：英诺赛科的氮化镓之路

值得关注的是，英诺赛科于2024年12月已在港交所上市，发行价30.86港元，募资总额14.63亿港元，募资净额13.64亿港元，基石投资者包括STHK、江苏国企混改基金、东方创联、苏州高端装备，共认购1亿美元。

这些实力雄厚的基石投资者的加持，不仅为英诺赛科上市提供了稳定的资金支持，也彰显了资本市场对氮化镓赛道及公司技术实力与发展潜力的高度认可。

根据英诺赛科的2025上半年财报显示，公司2025年上半年营收达5.53亿元，较上年同期的3.86亿元增长43.4%，这一增长主要得益于氮化镓应用领域的持续拓展以及客户需求的快速攀升。

从业务板块来看，各细分领域表现分化且亮点突出，其中，氮化镓分立器件及氮化镓集成电路业务表现强劲。

氮化镓上半年所得收益为2.07亿元，较上年同期的1.38亿元增长49.9%，背后是电动汽车、数据中心、工业等领域应用场景的不断拓展，越来越多客户选择采用氮化镓方案。

氮化镓模块业务更是实现爆发式增长，收益达2.36亿元，较上年同期的1.07亿元增长121.7%，这源于公司与客户深化合作以及产品的持续迭代升级。

形成对比的是，氮化镓晶圆业务收益有所下滑，为1.08亿元，较上年同期的1.39亿元减少22.2%，公司为更好满足客户对系统集成产品的需求，将部分晶圆订单转化为分立器件与集成电路订单，英诺赛科的业务战略调整持续进行中。

盈利方面，英诺赛科2025年上半年毛利为3785万元，而去年同期为8324万元的毛亏损，毛利率也从去年同期的-21.6%提升至6.8%，整体向好。这一改善主要得益于其收入提升带来的生产规模效应释放，有效降低了成本。

总体而言，尽管英诺赛科仍处于亏损状态，但亏损幅度明显收窄，2025年上半年期内亏损4.29亿元，较上年同期的4.88亿元收窄12.2%。

成本支出方面，英诺赛科研发投入持续增加，上半年研发成本为 1.62 亿元，较上年同期的 1.45 亿元增长 11.5%，为拓展产品应用领域而加大的研发投入，彰显了其对技术创新的重视。

资金状况上，截至2025年6月30日，公司现金及现金等价物为14.25亿元，较2024年12月31日的15.25亿元略有下降；贷款及借款总额为24.95亿元，较2024年12月31日增加5.71亿元，增加的贷款主要用于支持公司扩大生产规模。

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合作交锋：安森美、英飞凌与英诺赛科

2025年，安森美半导体与英诺赛科共同宣布签署谅解备忘录，计划在40-200V GaN功率器件领域展开深入合作。

根据协议，双方将结合安森美在系统集成、封装技术与全球渠道方面的优势，以及英诺赛科在GaN制造工艺与规模化生产方面的经验，共同为工业、汽车、消费电子、人工智能数据中心等市场提供高效、高性价比的GaN解决方案。

从技术布局来看，这是一场典型的优势互补。

安森美此前已在碳化硅（SiC）领域深耕多年，并于2025年11月正式推出了基于垂直氮化镓（vGaN）技术的产品，但其在硅基GaN领域的布局相对有限。

而英诺赛科作为国内领先的GaN IDM企业，专注于硅基GaN的工艺研发与大规模制造，在成本控制和产能爬坡方面具备显著优势，但在工业等高门槛市场的系统级整合能力和国际客户网络方面仍有提升空间。

通过这次合作，安森美有望快速补全其在GaN中低压产品线的空白，尤其是在消费电子、轻型电动车等快速增长市场；英诺赛科则能借助安森美的全球渠道与系统设计能力，将产品导入更高阶的工业与汽车应用，加速实现从消费级市场向工业级市场的跨越。

几乎在同一时期，英飞凌与英诺赛科之间的专利纠纷仍在进行。

2025年12月，英飞凌发新闻稿称，美国国际贸易委员会（ITC）初步裁定英诺赛科侵犯了英飞凌一项GaN技术专利。与此同时，英诺赛科也发布资源公告称，与英飞凌的诉讼案取得了胜利。

在双方的公告中，二者均只公布了对自己有利的部分。

美国ITC初步裁定英诺赛科侵犯了英飞凌的US 9,899,481专利，同时认定英飞凌US 9,899,481和US 9,070,755专利有效，但并未认定英诺赛科侵犯了英飞凌的US 9,070,755专利。

根据程序，ITC预计于2026年4月2日发布最终裁决；若维持原判，英诺赛科相关产品可能被禁止进入美国市场。

这场专利交锋的背后，实质上是GaN市场主导权的竞争。

随着GaN技术在快充、数据中心、汽车电子等领域的应用不断拓展，核心技术专利成为企业参与全球竞争的重要筹码。

对英诺赛科而言，专利诉讼可能对其全球化战略，尤其是对美国市场的拓展构成一定挑战。

这也反映出，中国半导体企业在快速提升制造能力与市场份额的同时，仍需在核心专利布局与国际知识产权规则适应方面持续加强。

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产业展望：协作深化与未来可能性

从市场前景看，GaN在中低压应用领域具备显著的增长潜力。

根据Yole Group预测，氮化镓（GaN）功率器件市场预计将从2024年的3.55亿美元快速增长至2030年的29亿美元，复合年增长率有望达42%。

尤其在人工智能数据中心、轻型电动汽车、消费快充等场景中，GaN的高频、高效特性将持续推动电源系统向更紧凑、更节能的方向发展。

安森美与英诺赛科的合作，折射出功率半导体行业正从单一技术路线竞争向多技术平台协作演进。

安森美依托其在SiC和vGaN等领域的技术积累，致力于构建覆盖硅、碳化硅、氮化镓的完整功率解决方案；英诺赛科则通过制造优势与外部协作，逐步提升其在系统级应用与市场渗透方面的能力。

值得关注的是，双方在碳化硅领域的布局仍是未定之局，安森美在SiC上持续投入但面临行业竞争，英诺赛科则尚未涉足该领域。

未来是否会通过技术授权、联合研发甚至产业链投资等方式进一步深化协作，尤其是围绕SiC与GaN的协同发展，将成为行业观察的重点。

从行业风险与竞争格局来看，英诺赛科面临多重挑战。

竞争层面，国际上英飞凌加速扩建8英寸GaN产线、德州仪器推进12英寸GaN工艺以压低成本，国内华润微、士兰微凭借功率器件积累与之竞争，Navitas也在推进8英寸技术迁移，削弱其工艺优势。

风险上，当前英诺赛科存在现金流压力，2025年上半年现金及等价物14.25亿元，上半年营业总成本约10亿元，且新增贷款后贷款总额到达24.95亿元，若产能消化不及预期将加重负担。同时与英飞凌、EPC的专利诉讼尚未落幕，可能影响全球化布局。

不过，英诺赛科在2023年凭借全球最大8英寸GaN量产基地及42.4%的全球市占率稳居全球第一，仍在竞争中占据优势，若能持续自内优化成本、对外化解专利风险，未来仍可拭目以待。

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尾声

英诺赛科的故事，正在多个层面同时展开。

从内部看，管理层的锁仓承诺与面向核心团队的股权激励，构成了稳固的信心基石，旨在凝聚共识，为长远发展蓄力。从财报看，营收的快速增长与亏损的显著收窄，显示了其业务在市场上的强劲势头和健康的改善轨迹。

从外部合作看，与安森美的携手是一次典型的优势互补，旨在打通从制造优势到系统应用与全球市场的关键环节。

然而，与英飞凌的专利纠纷犹如达摩克利斯之剑，时刻提醒着全球半导体竞争的残酷性——知识产权是必须跨越的壁垒。

因此，英诺赛科的未来，不仅取决于其制造工艺与成本控制能力，更取决于其能否将内部信心转化为持续的创新与市场突破，能否借外部合作真正提升系统级能力，并最终在知识产权领域构建起自己的护城河。

内部定力、外部借力与知识产权压力，这三股力量交织作用的结果，将决定英诺赛科能否在广阔的氮化镓蓝海中，从重要的参与者成长为真正的领航者。