北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121487269A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法，半导体器件包括：基底，基底中形成有导电层、绝缘层和沟槽；沟槽电容器，包括第一电极板、第一介质层、第二电极板、第二介质层和第三电极板，第一电极板从沟槽的侧壁延伸至沟槽外围的基底上；第二电极板形成在第一电极板上，且第二电极板贯穿绝缘层，以与导电层电连接；第三电极板形成在第二电极板上，且第三电极板与第一电极板电连接；第一电极板通过第一介质层与第二电极板绝缘，第二电极板通过第二介质层与第三电极板绝缘。本发明的技术方案使得沟槽电容器具有高电容值，还能减少沟槽电容器所占用的面积。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1824条，此外企业还拥有行政许可106个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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