北京
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“采用应力记忆技术的MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121487281A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种采用应力记忆技术的MOS器件及其制备方法，该制备方法在采用SMT工艺提高NMOS器件沟道电子迁移率时，通过在半导体基底上沉积一层具有拉应力的应力膜层作为应力记忆层，且在沉积该应力膜层时不会在应力膜层中引入氢元素，所以在形成具有拉应力的应力膜层后不需要额外增加一道光刻刻蚀工艺去除PMOS区域的应力膜层，而是直接对沉积的应力膜层进行快速退火的应力记忆过程，由于PMOS器件是制备在晶向的衬底上的，该晶向中的沟道的空穴载流子迁移率不会受到SMT应力的影响，因此可以直接通过快速热退火实现对NMOS器件的应力记忆，有效降低工艺复杂度以及降低制造成本。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可16个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
