复旦大学宣布：彻底绕开光刻机，无极芯片流片成功

在全球半导体产业面临光刻机技术封锁的背景下，复旦大学传来重磅突破：集成芯片与系统全国重点实验室周鹏、包文中联合团队研发的全球首款二维半导体芯片“无极”成功流片。

这款芯片彻底绕开传统光刻工艺依赖，以全链条自主技术实现5900个晶体管的系统级集成，刷新二维逻辑芯片集成度的全球纪录，为我国芯片产业突破技术壁垒开辟了全新赛道。

传统硅基芯片制造高度依赖光刻机，尤其是先进制程对EUV光刻机的需求近乎刚需，而“无极”芯片的问世打破了这一桎梏。团队以二硫化钼为核心二维半导体材料，摒弃高能光刻的传统思路，创新采用柔性等离子处理等低能量工艺，如同在“豆腐上雕花”般实现原子级精密加工，既避免了高能粒子对材料的损伤，又攻克了二维半导体均匀性差、良率低的行业难题。此次研发的反相器良率高达99.77%，

单级高增益、关态超低漏电的性能，成为二维半导体工程化应用的关键突破。

为突破工艺参数优化的海量难题，团队打造“原子级界面精准调控+全流程AI算法优化”双引擎，借助AI for Science技术从天文数字的参数组合中筛选最优方案，让原本人工无法完成的工艺调试成为可能。基于自主创新工艺，“无极”芯片成功实现32位RISC-V架构指令集运行，在1kHz时钟频率下可稳定执行37种32位指令，满足物联网、边缘算力、AI推理等场景的计算需求，且待机功耗仅为28nm硅基芯片的1/5，展现出超低功耗的显著优势。

更具产业价值的是，该芯片实现了从材料生长到架构设计的全链条自主可控，核心工艺拥有20余项发明专利，且70%工序可沿用现有硅基产线技术，为产业化落地大幅降低了成本和技术门槛。相较于国际上此前115个晶体管的集成度纪录，“无极”芯片实现超50倍的跨越，标志着我国在二维半导体领域占据全球先发优势。

此次突破不仅是摩尔定律逼近物理极限下的重要创新，更让我国在芯片核心技术领域摆脱了对传统光刻工艺的依赖。

复旦大学团队表示，下一步将继续提升芯片集成度，搭建稳定工艺平台，推动二维半导体芯片从实验室走向产业化。在全球半导体竞争日趋激烈的当下，“无极”芯片的成功流片，为我国打造自主可控的半导体产业链注入了核心动力，也为世界芯片技术发展提供了中国方案

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