北京
国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体装置及其制作方法”的专利，公开号CN121463517A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体装置及其制作方法。所述半导体装置包括在中压器件形成区形成的包括第一栅介质层、第一栅极、第一源区和第一漏区的中压MOS器件，以及在低压器件形成区形成的包括第二栅介质层、第二栅极、第二源区和第二漏区的低压MOS器件，所述中压MOS器件中，第一栅极具有沿沟道长度方向排布的两端部以及位于所述两端部之间的栅极中间部，所述第一栅介质层被所述两端部覆盖的边缘第一栅介质的厚度大于被所述栅极中间部覆盖的中间第一栅介质的厚度，使得第一栅极和第一漏区之间的距离较大，有助于避免中压MOS器件的侧墙形成得较薄时第一栅极和第一漏区距离过近而产生较严重的GIDL漏电问题，有助于提升装置性能。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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