北京
国家知识产权局信息显示，深圳市重投天科半导体有限公司申请一项名为“碳化硅外延炉的气路系统和气源控制方法”的专利，公开号CN121451297A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅外延炉的气路系统和气源控制方法，碳化硅外延炉的气路系统包括：第一运行管、第二运行管、第一旁通管、第二旁通管、硅源输送管、碳源输送管、混合单元、第一阀组件、掺杂气源输送管和第二阀组件，混合单元混合硅源和碳源以获得混合生长气源，第一阀组件切换混合单元出口连通于第一旁通管、或混合单元出口连通于第一运行管，第二阀组件切换掺杂气源输送管连通于第二运行管、或掺杂气源输送管连通于第二旁通管。上述气路系统可以减小硅源和碳源进入外延反应腔室的时间偏差，可以减小外延层的缺陷密度；掺杂气源输送管和混合单元单独设置，可以单独控制掺杂气源，可以制作复杂掺杂结构，可以满足特殊碳化硅器件的性能要求。
天眼查资料显示，深圳市重投天科半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本220000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市重投天科半导体有限公司参与招投标项目58次，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可118个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
