国家知识产权局信息显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN121449010A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件,其中方法包括:提供半导体结构;在半导体结构上形成覆盖铝铜合金层的保护层;在保护层上形成光刻胶层,通过曝光、显影使得光刻胶层被图案化;以图案化后的光刻胶层为掩膜对保护层和导电层进行刻蚀,以使导电层形成为导电结构且功能结构层的部分区域被暴露;对功能结构层进行刻蚀,以在功能结构层的被暴露的部分区域内形成开口;经由开口释放至少部分牺牲层;其中,保护层的材料为在释放牺牲层的过程中能够被同步去除的材料。如此,有效隔离铝铜合金层,防止其与显影液接触,进而彻底解决金属缺陷的问题。
天眼查资料显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司,成立于2021年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目63次,专利信息155条,此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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