北京
国家知识产权局信息显示，SK恩普士有限公司申请一项名为“用于半导体工艺的组合物、用于制备半导体工艺用的组合物的方法以及用于制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121464191A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，提供了一种用于半导体工艺的组合物，组合物包含二氧化硅颗粒，且组合物根据公式1具有6.30%至9.60%的值。此外，提供了一种用于半导体工艺的组合物，组合物包含二氧化硅颗粒，并且根据公式2具有大于5.80%且小于8.80%的值。此外，提供了一种制备用于半导体工艺的组合物的方法，方法包括：步骤（a）：对氢离子浓度（pH）在4.0至5.5范围内的二氧化硅水性分散溶液进行搅拌；步骤（b）：当水性二氧化硅分散溶液的温度在25°C或更高且低于40°C时，引入含有氨基硅烷组分的二氧化硅表面改性剂；步骤（c）：将氢离子浓度（pH）调节物引入到已引入有二氧化硅表面改性剂的水性二氧化硅分散溶液中；以及步骤（d）：对已引入有氢离子浓度（pH）调节物的水性二氧化硅分散溶液进行搅拌，以使最终反应温度达到50°C至65°C范围内。此外，提供了一种利用该用于半导体工艺的组合物来制造半导体装置的方法。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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