来源:充电头网
充电头网第3929篇拆解报告。
前言
电源输入端设有散热风扇,电源插座和指示灯,输出端设有金手指连接器。电源内部采用双开关无桥式PFC+全桥LLC+同步整流架构,使用微芯科技控制器,并具备PMBus通信。下面就带来奥海科技这款3200W钛金牌服务器电源的拆解,一起看看内部的方案和用料。
奥海科技3200W钛金牌服务器电源外观
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奥海科技3200W钛金牌服务器电源采用金属外壳,机身粘贴信息标签,左侧设有散热风扇和接地弹片。
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电源机身标签特写
型号:AH-CRPS3200A1A
输入:100-127V~15A
输出:1200W MAX +12.2V ⎓ 98.4A;+12VSB ⎓ 2.1A
输入:200-220V~16A
输出:2800W MAX +12.2V ⎓ 229.6A;+12VSB ⎓ 2.1A
输入:220-240V~16A或240V ⎓ 16A(仅限中国)
输出:3200W MAX +12.2V ⎓262.3A;+12VSB ⎓ 2.1A
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电源背面设有固定螺丝和接地弹片。
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机身侧面设有固定卡扣。
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电源输入端设有散热风扇,输入插座,脱扣把手和电源指示灯。
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散热风扇设有防护板,标注Titanium和3200W输出功率。
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电源交流输入端采用C20插座,脱扣把手下方设有LED指示灯。
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电源模块输出端设有防护格栅和金手指小板,透过格栅可以观察到内部滤波电容和变压器。
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测得电源机身长度约为201mm、
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电源机身宽度约为74.1mm。
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电源机身厚度约为39.5mm。
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手持电源的大小直观感受。
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测得电源重量约为994g。
奥海科技3200W钛金牌服务器电源拆解
看完了奥海科技这款钛金牌服务器电源的外观展示,下面就进行拆解,一起看看内部的方案和用料。
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电源内部为长条状PCBA模块,输入插座直接焊接在PCB上。
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PCBA模块背面设有固定螺丝孔,并设有胶垫支撑。
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PCBA模块正面一览,左侧为交流输入插座,依次设有蓝色Y电容,保险丝,安规X2电容,共模电感,继电器,PTC热敏电阻。中间位置设有散热片,为PFC开关管,PFC整流管和LLC开关管散热。
左侧上方设有整流桥,PFC升压电感,谐振电感。右侧设有变压器和同步整流小板,滤波电感和滤波电容。滤波电容下方设有待机电源变压器。下方中间位置设有高压滤波电容,底部设有控制小板。
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PCBA模块背面一览,右侧设有两颗整流二极管和电流采样芯片,谐振电容。下方设有驱动器和MLCC滤波电容。左侧设有输出控制管,隔离驱动器和待机电源芯片。
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焊接拆下安规X2电容,整流桥,高压滤波电容,开关管,变压器和同步整流小板以及控制小板,继续进行拆解。
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输入端设有电源插座,共模电感和安规X2电容。
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电源插座后方设有两颗蓝色Y电容。
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Y电容来自华新科,料号AH221K。
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保险丝外套热缩管绝缘。
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安规X2电容来自实全电子,规格为2.2μF。
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共模电感采用漆包线绕制,底部设有电木板绝缘。
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两颗共模电感之间设有两颗蓝色Y电容。
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安规X2电容规格为3.3μF。
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PCBA模块侧面设有整流桥,PFC升压电感,谐振电感和同步整流小板。
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整流桥来自扬杰科技,型号GBUL2508,为低压降整流桥,规格为800V 25A,采用GBU封装。
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整流二极管来自海湾电子,型号GS8J,规格为600V 8A,采用SMC封装。
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电流采样芯片来自纳芯微,型号NSM2012-50B5F,量程为50A,供电电压5V,具备3kV隔离能力,采用SOP8封装。
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散热片设有PFC开关管和全桥LLC开关管。
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另一面设有全桥LLC开关管和PFC整流管。
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PFC开关管来自英飞凌,型号IPW60R037P7,为CoolMOS P7系列,NMOS,耐压650V,导阻37mΩ,采用TO 247-3封装。
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PFC整流管来自Wolfspeed,型号C6D10065A,为第六代碳化硅肖特基二极管,规格为650V 10A,采用TO-220-2封装。
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驱动器来自纳芯微,型号NSi6601BD,为单通道隔离驱动器,芯片具备3kV隔离能力,绝壁5A驱动电流能力,支持3.1-17V工作电压,采用SOP8封装。
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PFC升压电感采用漆包线绕制,底部设有电木板绝缘。
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继电器来自中汇瑞德电子,型号A16-S-112HA2F,内置一组常开触点,触点容量为16A 250V~,线圈电压为12V。
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PTC热敏电阻来自TDK,型号C750,电阻25Ω,交流耐压280V,直流耐压400V。
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高压滤波电容来自NCC贵弥功,耐热105℃,规格为450V 1080μF。
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MLCC电容与高压电容并联滤波。
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LLC开关管来自意法半导体,型号STW75N60DM6,NMOS,耐压600V,导阻32mΩ,采用TO-247封装。
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另外两颗开关管型号相同。
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隔离驱动器来自纳芯微,型号NSi6602AD,芯片内置隔离双通道栅极驱动器,具备5.7KVrms隔离能力,具备4A拉电流和6A灌电流能力,采用SOW16封装。
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谐振电感使用利兹线绕制,底部设有电木板绝缘。
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谐振电容使用7颗NPO电容并联。
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输出端设有滤波电容,滤波电容小板和变压器。
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变压器焊接在同步整流小板上,变压器左侧焊接电流互感器,右侧焊接滤波电感。
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小板背面设有同步整流管和MLCC电容。
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变压器底部设有同步整流管。
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变压器磁芯标注D2D-CRPS3200A1A型号,右侧设有塑料壳绝缘,次级采用铜片焊接。
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变压器底部同步整流管特写。
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另一侧也设有同步整流管。
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滤波电感印有FT-CRPS2700A1A字样。
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同步整流管来自英飞凌,丝印07N04LS6,型号BSC007N04LS6,NMOS,耐压40V,导阻0.7mΩ,采用TDSON-8封装。
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另一组同步整流管型号相同。
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同步整流管驱动器来自意法半导体,丝印834M,型号PM8834M,为双路低侧驱动器,具备4A输出能力,采用MSOP 8L-EP封装。
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滤波电容来自尼吉康,规格为2700μF16V,使用3颗并联。
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另一组滤波电容规格为1500μF16V,使用3颗并联。
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0.1mΩ取样电阻用于输出电流检测。
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对应输出控制管焊接铜块均流。
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输出控制管来自富鼎先进,型号AP4086CXT,NMOS,耐压30V,导阻0.58mΩ,采用PMPAK5x6X封装。
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PCB背面也设有0.1mΩ取样电阻。
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输出控制管型号相同。
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电压比较器来自意法半导体,丝印M393,型号LM393ST,为低功耗双路电压比较器,采用MiniSO8封装。
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丝印IBTD的芯片来自芯源系统。
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另一颗芯片丝印相同。
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待机电源芯片来自意法半导体,为VIPER31系列,型号VIPER319H,芯片内部集成800V开关管,集成高压启动,采用电流模式控制,开关频率为132KHz,具备过负载保护,过热关闭和过压保护,采用SO16N封装。
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蓝色Y电容料号为CD102M,引脚设有磁环抑制高频干扰。
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整流管来自达尔,型号SBR10U200P5,为超级势垒整流器,规格为200V10A,采用PowerDI5封装。
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PCBA模块侧面设有控制小板,对应光耦位置粘贴高温胶带绝缘。
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焊接拆下控制小板,在小板内侧设有MLCC电容滤波。
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内侧设有电压比较器,运放,光耦,存储器和二极管等元件。
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PFC控制器来自微芯科技,内置16位DSPIC33F CPU,内置64KB FLASH和9KB RAM,用于开关电源和同步整流控制,采用TQFP64封装。
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电压比较器采用意法半导体LM393ST。
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降压芯片丝印IBTDT。
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全桥LLC控制器采用微芯科技DSPIC33F CPU。
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芯片外置16.000MHz时钟晶振。
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存储器来自意法半导体,型号M24C02-F,容量为256字节,支持1.7-5.5V工作电压,采用SO8N封装。
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另一颗存储器型号M24M01-R,容量为128KB,支持1.7-5.5V工作电压,采用SO8封装。
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运放来自意法半导体,型号LM324A,为低功耗,低输入偏置电流四运放,采用TSSOP14封装。
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双运放来自意法半导体,丝印K31,型号TSB572IST,是一颗低功耗36V BiCMOS运算放大器,采用MiniSO8封装。
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光耦来自亿光,型号EL1019,用于初次级之间隔离通信。
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小板另一面设有同型号的光耦。
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亿光EL1019光耦特写。
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丝印AVYV的芯片特写。
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降压芯片丝印IBTD。
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三颗ES3DB二极管特写。
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散热风扇来自广泰永立,型号MGT4012DB-W28,规格为12V 4A,并配有静叶片。
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全部拆解一览,来张全家福。
充电头网拆解总结
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最后附上奥海科技3200W钛金牌服务器电源的核心器件清单,方便大家查阅。
奥海科技这款服务器电源型号为AH-CRPS3200A1A,支持100-240V交流输入和240V直流输入,电源额定输出电压为12V,输出电流262.3A,额定输出功率3200W。待机电源输出电压为12V,输出电流2.1A。电源内部设有散热风扇,从直流输出端吸入空气,交流输入端吹出散热。
充电头网通过拆解了解到,奥海科技这款电源采用微芯科技控制方案,使用两颗dsPIC33F控制器分别用于PFC和LLC控制。PFC开关管使用英飞凌IPW60R037P7,通过纳芯微NSi6601BD隔离驱动器驱动。PFC整流管使用Wolfspeed C6D10065A 碳化硅二极管。
LLC开关管采用意法半导体STW75N60DM6,通过纳芯微NSi6602AD隔离驱动器驱动。同步整流管采用英飞凌BSC007N04LS6,通过意法半导体PM8834M驱动,待机电源芯片采用意法半导体VIPER319H。电源内部高压电容来自贵弥功,输出滤波电容来自尼吉康,用料均为国际一线品牌,内部做工用料扎实。
大会预告
世界服务器电源大会由800VDC.COM主办,聚焦服务器电源前沿技术,是推动技术突破与全产业链合作的专业平台。在这里汇聚全球该产业链决策者与创新力量,引领绿色算力供电发展,是洞察趋势、深化合作、抢占产业制高点的核心选择。
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