北京
国家知识产权局信息显示，南通威斯派尔半导体技术有限公司申请一项名为“一种覆铜陶瓷基板甲酸真空回流温度控制方法”的专利，公开号CN121423738A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种覆铜陶瓷基板甲酸真空回流温度控制方法，包括：步骤S1，预热加热平台，同时恒温保持在40℃左右，稳定待焊接的覆铜陶瓷基板与焊片的初始状态；步骤S2，将焊片覆盖待焊接的覆铜陶瓷基板表面，压合平整；步骤S3，将平整后的待焊接的覆铜陶瓷基板置于真空回流焊接设备的密封反应室，匀速升温，在200℃保温200s后，继续升温至设定温度；步骤S4，恒温5‑10min，待焊片完全熔化后快速冷却，得到焊接成品并测量表面润湿面积。本发明解决了覆铜陶瓷基板在现有升温曲线下，易出现漏焊、空洞、局部过热等问题。
天眼查资料显示，南通威斯派尔半导体技术有限公司，成立于2020年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，南通威斯派尔半导体技术有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可9个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
