2026年存储芯片价格飙升，NAND涨38%，DRAM涨60%！PC、汽车、手机成本压力加剧

自2025年三季度起，全球存储市场进入上行通道，开启新一轮涨价行情。TrendForce集邦咨询数据显示，存储芯片两大核心品类DRAM与NAND闪存价格将延续上涨态势，2026年第一季度NAND闪存产品价格预计上涨33%—38%，一般型DRAM价格将上涨55%—60%。

本轮涨价的核心驱动因素为AI浪潮引发的结构性供需失衡，叠加供给收缩与库存低位，共同形成共振效应。需求端，单台AI服务器内存需求达到普通服务器的8至10倍，挤占消费级产品供应空间；同时消费电子库存去化完成，个人电脑、智能手机出货量同步复苏，进一步推高需求压力。供给端，三星、SK海力士等头部厂商将80%以上先进产能转向高毛利率的HBM高带宽内存，成熟制程产能大幅缩减。2025年DRAM行业平均库存周期降至10周，原厂库存仅2至4周，处于极度紧张状态。

业内判断此轮上涨为存储行业持续2至3年的“超级周期”，核心在于产能释放速度滞后于需求增长。TrendForce集邦咨询预测2026年一季度一般型DRAM合约价格环比上涨55%—60%，NAND闪存合约价上涨33%—38%；花旗预计2026年DRAM与闪存产品平均售价将分别上涨88%、74%，高于此前预期的53%、44%。

消费电子、汽车电子及云计算行业受涨价影响最为显著。消费电子领域，存储成本占终端产品BOM成本比例从20%升至30%以上，联想、惠普、戴尔等PC厂商对笔记本电脑提价500至1500元；汽车电子方面，车规级DDR4一季度价格涨幅或达50%，小米SU7单车内存成本预计增加数千元，蔚来创始人李斌称内存涨价是2026年汽车行业最大的成本压力来源，理想汽车供应链负责人表示当年汽车行业存储芯片供应满足率或不足50%；云计算领域，亚马逊、谷歌等海外云厂商上调产品价格，将成本压力传导至下游用户。

海外厂商向高端产能倾斜的策略，为国产成熟制程存储产品释放市场空间，长鑫科技、长江存储的DDR4、3D NAND产品有望获得更多客户订单。佰维存储、德明利、江波龙等存储相关企业2025年业绩大幅预喜，其中佰维存储预计2025年实现营业收入100亿元至120亿元，同比增长49.36%至79.23%，归母净利润8.50亿元至10.00亿元，同比增长427.19%至520.22%；德明利预计2025年营业收入103亿元至113亿元，归母净利润6.5亿元至8亿元，同比增长85.42%至128.21%。

全球存储巨头在高端赛道竞争升级，SK海力士2025年HBM收入同比增长1倍以上，按计划推进HBM4量产；三星宣布2026年2月启动HBM4交付，相关产能已被客户全部预订，预计当年HBM销量同比增长3倍以上。韩国海关数据显示，2026年1月韩国半导体出口额达205亿美元，同比大幅增长102.7%，连续两个月突破200亿美元，存储芯片需求增长成为核心拉动因素。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：观察君