北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121442686A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种方法，方法包括形成延第一方向延伸且在垂直于第一方向的第二方向彼此分隔开的位元线结构，在位元线结构之间延第一方向形成沟槽，在沟槽中形成导电层，延第二方向穿过导电层和位元线结构的顶部形成隔离结构，移除导电层的顶部以形成接触件，其中接触件的边界由位元线结构和隔离结构所界定，移除接触件的角部以形成凹陷，其中角部邻接位元线结构和隔离结构，以及在凹陷中形成间隔物，其中间隔物的顶表面与接触件的顶表面齐平。此方法增加接触件与电容的底部电极之间的接触面积，从而改善接触电阻。此外，在接触件、位元线结构和隔离结构之间形成间隔物，减少接触件相邻位元线结构的宽度，从而改善半导体结构的寄生电容。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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