北京
国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构”的专利，公开号CN121442721A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构。该制备方法包括提供碳化硅外延片；采用第一沉积工艺在碳化硅外延片上形成第一栅氧层并对其进行氮化退火处理；采用第二沉积工艺在第一栅氧层上形成第二栅氧层并对其进行致密化工艺处理；第一栅氧层的厚度小于第二栅氧层的厚度。本申请提供的制备方法中，对较薄的第一栅氧层进行氮化退火处理，反应产生的近界面陷阱层更薄且反应生成的CO更易逸出第一栅氧层，对第二栅氧层不进行氮化退火处理直接进行致密工艺处理，能够避免对第二栅氧层氮化退火处理过程中SiC与第一栅氧层之间近界面陷阱层的生成，降低了栅氧界面/近界面缺陷，提升迁移率和栅氧整体质量。
天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3012次，专利信息592条，此外企业还拥有行政许可87个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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