北京
国家知识产权局信息显示，苏州衡巍光电科技有限公司申请一项名为“一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法”的专利，公开号CN121407217A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法，属于化合物半导体材料合成技术领域。该方法包括以下步骤：步骤一、将砷化镓衬底晶圆放置在晶体反应炉内部的支架上，对晶体反应炉抽真空；步骤二、将氩气输送至晶体反应炉，置换空气；步骤三、将锑烷输送至晶体反应炉，以锑烷蒸汽驱赶炉体中的氩气；步骤四、将三甲基镓输送至晶体反应炉；步骤五、将晶体反应炉升温到480‑500℃，并在该温度下反应0.5‑3小时；随后再升温到850‑870℃，并在该温度下反应1‑1.5小时；步骤六、使晶体反应炉逐步降低温度至室温，取出产物，得到外延锑化镓薄膜晶体成品。本发明可在较低温度、较短时间内，在砷化镓衬底获得厚度均匀、质量良好的锑化镓晶体外延层。
天眼查资料显示，苏州衡巍光电科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州衡巍光电科技有限公司专利信息7条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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