北京
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN121419293A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于降低半导体器件中容易出现栅极结构和源极、漏极出现短接的问题。半导体器件包括基底，以及设置于基底同一侧的源极、漏极、多个沟道层、栅极结构和内侧墙。多个沟道层位于源极和漏极之间。沿基底的厚度方向，多个沟道层间隔分布。栅极结构环绕每个沟道层。内侧墙包括多个第一子内侧墙，多个第一子内侧墙分别设置在相邻的沟道层之间、且位于栅极结构的两侧。第一子内侧墙具有分别与两边的沟道层贴合的凹凸不平的第一表面。该半导体器件可以通过简单的结构设置，降低栅极结构和源极、漏极出现短接的几率，有效地提升半导体器件的可靠性。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1709个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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