北京
国家知识产权局信息显示，江西乾照光电有限公司申请一项名为“一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件”的专利，公开号CN121419403A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件，涉及半导体器件技术领域。在发光外延片的多量子阱层中插入生长第一应力释放层，在发光外延片的多量子阱层和P型半导体层之间插入生长第二应力释放层，保证制备的发光外延片的质量高。在生长应力释放层过程中采用包括氩气的载气，能够促进氨气的分解平衡向正向移动，能够使得氨气分子直接接触高温衬底并分解，进一步促进氨气的分解反应发生；同时能够提高空穴浓度，达到提升半导体发光器件的发光效率的目的。由于氩气的热导率比较低，在氩气的气氛下，应力释放层的生长更倾向于径向生长，有利于精确调控应力释放层的厚度，提高半导体发光器件的复合效率，优化半导体发光器件的性能。
天眼查资料显示，江西乾照光电有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照光电有限公司参与招投标项目44次，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可58个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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