三星电子：预计HBM4于2月开始发货，今年HBM销量将同比增长超三倍！

三星电子最新财报显示，2025年第四季度（10-12月）营收为93.8万亿韩元（约合657.0 亿美元），环比增长9.1%，同比增长23.7%；经营利润20.1万亿韩元（约合140.8 亿美元），环比增长64.8% ，同比增长209.2%；净利润19.6万亿韩元（约合137.3 亿美元），环比增长60.7%，同比增长151.3%。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子Q4存储营收为37.1万亿韩元（约合259.8 亿美元），环比增长39%，同比增长61.3%。存储业务所在的DS部门Q4营收44万亿韩元（约合308.2 亿美元），环比增长32.9%，同比增长46.2%，经营利润16.4万亿韩元（约合114.9 亿美元），环比增长134.3%，同比增长465.5%。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子表示，2025年四季度服务器需求持续增长，并显著超过了行业供应，这主要得益于超大规模数据中心运营商为抢占人工智能市场先机而扩大资本支出。此外，移动和 PC 市场的供需状况依然紧张，原因在于行业供应重心集中于服务器市场。在库存水平较低和供应受限的情况下，三星电子扩大了 HBM 的销售，并通过满足服务器高附加值产品（例如高密度 DDR5、LPDDR5X 和服务器SSD）的需求，集中精力提升盈利能力。

DRAM方面，四季度人工智能服务器应用推动整体市场发展，三星电子积极响应市场对HBM的强劲需求，并将供应主要导向利润率更高的服务器领域，推动bit出货量创下历史新高；DRAM产品平均售价环比增长约40%。

NAND方面，在现有产能范围内，三星电子专注于扩大高利润率的服务器SSD销售，占总销售额的比例环比增长约10个百分点。但由于QLC NAND产品销售占比上升以及平面NAND Flash的逐步淘汰，NAND平均售价的增幅较DRAM略显平缓，环比增长约15%-20%。而三季度强劲的bit出货量带来的高基数效应、较低的库存水平，以及传统工艺向先进节点迁移（包括停产平面 NAND 产品）造成bit损失，NAND bit出货量不可避免地呈现环比下降。

展望2026年一季度，预计市场将延续强劲势头，考虑到库存水平显著偏低，DRAM bit出货量增长将仅限于低个位数百分比区间，NAND bit出货量将以中等个位数百分比增长。

关于HBM4/4E，三星电子表示，基于客户对HBM4优异性能的积极反馈，现已开始量产。HBM4目前正按计划稳定全面生产，并将于 2 月份开始发货。三星电子计划在今年年中左右开始向客户提供HBM4E样品，而基于HBM4E核心芯片的定制HBM 产品将在下半年推出。另外，目前所有可量产的HBM产能均已预订满，预计2026年HBM销量将大幅同比增长超过三倍。

展望2026年，对于DRAM，三星电子将瞄准人工智能市场即将新推出的 GPU 和 ASIC，积极主动地满足客户需求，及时扩大高性能HBM4的供应。同时计划继续增加人工智能相关产品的份额，例如高密度 DDR5、SOCAMM2 GDDR7 等。NAND方面，三星电子计划重点拓展基于高密度 QLC NAND的PCIe Gen5 SSD需求，同时满足人工智能领域对Key-Value SSD的强劲需求。此外，随着新型 GPU 平台的推出，预计服务器PCIe Gen6 SSD市场需求将在下半年快速增长。在移动设备和个人电脑应用领域，三星电子表示需要警惕其出货量可能出现的下滑，这是由于存储芯片价格上涨带来的物料清单（BOM）成本压力，导致终端产品价格上涨以及单机搭载容量的缩减。

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