北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN121419248A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构、第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构，堆叠结构包括栅极层以及与栅极层同层设置的第一介质层，第一栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构，第二栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构并位于沿第二方向相邻的第一栅线隔离结构之间，第二栅线隔离结构沿第三方向的延伸尺寸小于第一栅线隔离结构沿第三方向的延伸尺寸；其中，栅极层位于第一栅线隔离结构与第二栅线隔离结构之间的部分包括沿第三方向朝向第一介质层且单向弯曲的第一接触面，第一接触面自第一介质层朝向第一栅线隔离结构的一侧延伸至第二栅线隔离结构沿第三方向的一侧，第一方向、第二方向和第三方向两两相交。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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