台积电氮化镓技术，再次对外授权

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世界先进近日宣布，已与台积电签署高压（650V）与低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术的授权协议。此授权协议将协助世界先进加速开发并拓展新一代氮化镓电源元件，应用于资料中心、车用电子、工业控制与能源管理等高效率电能转换领域，进一步强化世界先进在高效率电能转换领域的技术布局。相关开发作业于2026年初启动，并于2028年上半年量产。

世界先进指出，透过此次授权，公司将扩展其硅基底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程至高压应用领域，并提供完整的GaN-on-Si平台，结合原有的新基底功率氮化镓（GaN-on-QST）制程平台，成为全球唯一能同时提供硅基底功率及新基底功率，两种不同基板氮化镓制程的晶圆制造服务公司，可支援自低压（小于200V）、高压（650V）乃至超高压（1200V）的完整产品解决方案。

随着传统硅基制程逐渐达其效能极限，氮化镓以其高效率、高功率密度与小型化特性，已成为新一代电源技术的关键材料。世界先进正积极建构涵盖自15V至1200V的氮化镓制程

技术，为客户提供更灵活且具竞争力的选择。透过这次技术授权，世界先进将精准打造一个能与现有制程平台无缝接轨的氮化镓制程平台，并将于公司成熟的８吋晶圆生产平台上进行验证，以确保制程稳定性与高良率。相关开发作业预计于2026年初启动，并于2028年上半年量产。

世界先进公司总经理尉济时表示：「此次技术授权不仅展现世界先进公司与台积电持续交流与合作的成果，更象征我们持续致力于推动完整氮化镓产品解决方案，并强化在化合物半导体领域的策略布局。透过本次技术授权，我们将加速协助客户满足其对高效能电能转换应用领域的需求，推动半导体电源技术迈向新世代，实现绿色能源与智慧应用的未来。

世界先进目前拥有五座８吋晶圆厂，分别位于台湾与新加坡。 2025年平均月产能约28.6万片八吋晶圆。世界先进及子公司共有逾7000名员工。

此前：与GF签订授权协议

在去年十一月，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries） 日前宣布与台积电签署一项技术授权协议，将引进其650V 和80V 氮化镓（GaN） 技术，借以强化格罗方德在电源应用领域的布局，特别锁定资料中心、工业以及汽车等高功率市场。

格罗方德表示，计划将这项获得授权的GaN 技术，在其专门处理高压GaN-on-Silicon 技术的美国佛蒙特州伯灵顿（Burlington, Vermont） 的晶圆厂进行验证。另外，根据规划，相关技术的开发工作预计将于2026 年初启动，并预计在2026 年下半年开始投产。格罗方德对此强调，这项授权协议将能加速其为客户量产下一代电源装置的能力，并在美国本土制造。

事实上，氮化镓技术因其较于传统矽CMOS 技术具备更卓越效能，正日益受到业界关注。因为它能提供更高的效率、更高功率、以及密集度，有效解决传统矽基技术在功率系统中的性能限制。

至于，格罗方德正在积极开发氮化镓产品，应用范围包括电动汽车（Electric Vehicles, EV）、 资料中心、再生能源系统、快速充电电子产品等。格罗方德电源业务资深副总裁Téa Williams 表示，这项协议强化了格罗方德对创新的承诺，以及对差异化技术的战略聚焦，这些技术对于我们生活、工作和连结所使用的基本电源装置至关重要。

另外，格罗方德还强调，其对氮化镓可靠性的处理方式涵盖了制程开发、元件性能和应用整合，以确保产品能适应严苛的工作环境。

(来源：半导体行业观察综合)

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