存储芯片，不够用了

当前全球存储芯片市场正遭遇一场前所未有的结构性短缺，这场由AI算力引爆的“供应荒”并非全域紧缺，而是呈现出高端产品一货难求、中端产品持续紧张、消费级产品相对平稳的差异化格局。

1月26日，Synopsys 首席执行官 Sassine Ghazi 在接受媒体采访时透露，存储芯片“短缺”将持续到 2027年。他表示，顶级厂商的大部分内存“都直接用于人工智能基础设施，但许多其他产品也需要内存，因此这些其他市场目前都面临内存短缺，因为没有剩余的容量供它们使用。”

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短缺梯队：不同品类的“紧缺程度”大不同

本轮短缺的核心矛盾集中在高性能存储芯片，不同品类的供需状况呈现显著差异，形成清晰的紧缺梯度格局。

核心缺口：HBM成“王中王”，缺口持续至2028年

高带宽内存（HBM）作为AI服务器和顶级GPU的核心组件，是本轮短缺中最稀缺的品类，堪称“皇冠上的钻石”。单台AI服务器对HBM的需求是传统服务器的4-6倍，而英伟达DGX GB300服务器机柜单系统就需搭载20TB HBM，极致需求催生了疯狂的抢订潮。目前全球云巨头已开始加价50%-60%抢购2028年的HBM产能，SK海力士2026年的HBM产能早已售罄，交货周期长达52周以上，远超限量款跑车的交付时间。

据媒体1月26日援引消息人士的话报道称，韩国存储芯片巨头三星电子计划从2月开始生产其下一代高带宽存储芯片，即HBM4。消息称，三星的HBM4芯片已通过英伟达和AMD的认证测试，将于下月开始向这两家公司供货。

HBM的紧缺源于多重技术壁垒：生产一片HBM消耗的先进产能可制造3片标准DDR5，且先进封装环节的产能瓶颈进一步加剧缺口，其供需平衡预计要到2028年后才能实现。

中端紧张：DDR5/LPDDR5X与企业级NAND跟进缺货

DDR5及LPDDR5X作为AI推理服务器、高端PC和旗舰手机的核心存储，因巨头产能倾斜陷入紧缺。三星、SK海力士、美光三大厂商将80%的先进产能优先分配给HBM和高端DDR5，导致DDR5价格自2025年9月以来涨幅超300%，256GB DDR5服务器内存价格已突破5万元，部分型号逼近6万元，紧缺局面预计持续至2027年下半年。

企业级NAND闪存则以“低调紧缺”的姿态成为硬通货。数据中心为应对AI工作负载，对企业级SSD需求激增，但原厂扩产意愿极低，资本开支增幅仅3-5%，导致交付周期拉长，价格每季度稳健上涨15-20%，部分型号溢价超25%，缺口将持续至2026年底。

中国DRAM龙头企业CXMT正通过多元化产品战略与持续稳定的产能输出，筑牢国产存储产业链的“压舱石”地位。近期其发布的新一代DDR5标准内存、LPDDR5X低功耗内存及全系列模组产品，不仅在制程工艺上实现突破，更在核心性能指标上达到国际一线水平，加速国产替代进程。

意外现象：DDR4“老兵逆袭”出现价格倒挂

令人意外的是，传统DDR4内存因巨头加速停产转产，反而迎来阶段性紧张，甚至出现现货价是DDR5两倍多的“价格倒挂”现象。2026年DDR4存量产能仅为2025年的20%，虽有国产厂商扩产补充，但增量有限，仅能满足工业、车规等刚性需求，未来价格将维持高位，彻底告别低价时代。

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短缺周期为何如此漫长？

本轮存储芯片短缺并非偶然，而是需求爆发、产能倾斜与行业特性共同作用的结果，形成了难以快速缓解的供需失衡。

需求端：AI算力成“吞存储巨兽”

消费电子已退居次要地位，AI算力正式成为存储需求的核心驱动力。机构预测，2024-2028年全球半导体将迎来超级周期，HBM市场规模有望在2028年冲击千亿美元，年复合增长率高达40%。北美四大云厂商2026年AI基础设施投资金额有望达6000亿美元，带动存储芯片需求呈指数级增长，单台AI服务器内存需求是传统服务器的8-10倍。

供给端：巨头产能向高利润领域倾斜

存储三巨头（SK海力士、三星、美光）的产能分配策略加剧了结构性缺口。由于生产一片HBM的利润抵得上3-4片DDR4，三大厂商将超过40%的先进DRAM产能转向HBM和DDR5，主动削减DDR4等低利润产品线。同时，先进制程与传统内存技术标准不兼容，导致DDR3/DDR4产能不可逆萎缩，进一步拉大供需差距。

行业特性：扩产周期长，远水难解近渴

存储芯片晶圆厂建设周期长达3-5年，美光纽约州新厂要到2030年才开始生产，新增DRAM产能普遍要到2028年才能释放。即便利用现有厂房进行技术转换，也需漫长的良率爬坡期，叠加HBM先进封装、3D NAND堆叠等技术壁垒，新产能难以快速填补当前缺口。

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产业连锁反应、巨头技术博弈与国产机遇

持续的短缺已引发全产业链连锁反应。存储芯片成本占手机硬件成本的10%-20%，价格上涨直接推高终端设备成本，小米、联想等厂商均表示成本压力超出预期，集邦咨询已下调2026年全球智能手机及笔记本电脑出货预测。在此背景下，三星、美光、SK海力士三大巨头加速迭代HBM等核心技术，以抢占高端市场主导权，技术路线分化进一步重塑行业竞争格局。

SK海力士以“务实迭代”抢占先机，2025年9月完成HBM4开发后全力推进量产，采用16层堆叠实现48GB容量与2TB/s带宽，自研MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）封装技术将芯片厚度降至30微米，通过一次回流焊接简化工艺，同时控制总高度在775微米以内。其专门生产HBM3E/HBM4的M15X工厂提前至2026年2月投产，后续P&T7封装厂将于2027年建成，形成前端DRAM与后端封装的内部闭环，当前HBM产能占其DRAM总产能的28%，为三巨头中最高。

在2026年国际消费电子展（CES）上，NVIDIA携其新一代Rubin芯片领衔亮相，并成为目前首批独家HBM4客户端芯片

三星以“全栈自研”路线角逐技术制高点，坚持DRAM、逻辑芯片与3D封装全环节自研，依托自家4nm工厂落地混合键合技术，相较行业主流方案提升了电气性能与良率，1c工艺良率已接近60%的盈亏线。为构建竞争优势，三星HBM4采用1c DRAM工艺，而SK海力士、美光目前仍沿用1b DRAM工艺。

此外，在2026年2月ISSCC大会上，三星计划将发布带宽达3.3TB/s的新品，较上一代提升37.5%，且在中低速段实现11Gb/s的全球最高速度，虽投入大、周期长，但技术壁垒一旦筑牢，短期内难以被超越，其HBM产能占DRAM总产能的23%，稳步推进扩产。

美光则以“稳健节能”为核心差异化竞争，HBM4采用12层堆叠设计，带宽仍突破2.8TB/s，数据速率维持在11Gb/s以上，核心优势在于相同带宽下功耗更低，逻辑部分交由台积电代工，核心CMOS基础芯片自主设计。

美光计划2026年第二季度量产出货HBM4，下半年逐步扩产，月产能目标从当前5.5万片提升至15万片，同时预留技术后手，HBM4E将于2027年上市，其HBM产能占比虽仅16%，但技术稳定性把控更为审慎。如果三星1c DRAM技术的良率突破，有望推动HBM成本下降与密度提升，而SK海力士、美光仍沿用1b工艺，若未能及时跟进，可能在成本与体积上陷入被动。

巨头的技术迭代与产能倾斜，既加剧了高端存储芯片的供给集中度，也为国产存储产业链带来差异化突围的黄金窗口。我国存储芯片自给率仅22.25%，存在巨大提升空间，长鑫科技、长江存储等企业正加速布局，长鑫科技拟募资295亿元投向技改与研发，计划2027年底前完成大部分设备导入，逐步缩小与国际大厂的技术代差。政策层面，大基金三期、设备税抵免等暖风频吹，叠加下游企业对供应链安全的需求，国产存储可依托成熟制程站稳脚跟，同时聚焦封装技术等细分领域突破，抓住巨头技术路线分化带来的替代机遇。

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