北京
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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、垂直栅平面场效应管及芯片”的专利，公开号CN121419289A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、垂直栅平面场效应管及芯片，涉及半导体技术领域。半导体器件，包括：基底，形成在基底中的源极，漏极、沟槽栅以及沟道区；沿垂直于基底的厚度的方向，沟槽栅形成在源极和漏极之间；沟道区至少覆盖沟槽栅的底部，且与源极和漏极形成电学接触，用于在半导体器件导通时，构建源极至漏极的导电通路，本申请实施例能够提供一种制造复杂度和成本低以及特征尺寸小的半导体器件的技术方案。
天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息240条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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