芯片设计巨头预警：AI“吞噬”存储产能，紧缺局面或持续至2027年

来源：环球网

全球芯片设计自动化工具龙头新思科技（Synopsys）首席执行官盖思新（Sassine Ghazi）近日发出警示，由人工智能基础设施热潮引发的存储芯片供应紧张与价格上涨，可能会持续到2027年。这一判断加剧了市场对全球半导体供应链结构性失衡的担忧。

盖思新在接受采访时指出，当前存储芯片的紧张局面预计将持续到2026年甚至2027年。其核心原因在于，头部制造商生产的大部分内存芯片“几乎全部流向AI基础设施”，导致智能手机、个人电脑、汽车乃至消费电子等其他市场需求受到严重挤压，因为已没有多余产能可供分配。

这场短缺的核心驱动力是AI服务器对高性能存储的庞大需求，尤其是高带宽存储器（HBM）。HBM通过先进封装技术将多块DRAM芯片垂直堆叠，能提供远超传统内存的数据传输速率，是训练和运行大模型的必需组件。然而，生产HBM消耗的晶圆产能远高于传统DRAM。行业分析指出，HBM每比特容量所消耗的晶圆产能约为传统DRAM的3倍。为满足像英伟达这样巨头的订单，三星、SK海力士和美光三大存储巨头将大量产能转向HBM，直接导致标准DRAM和NAND闪存的出货量被“吞噬”。

尽管主要存储芯片厂商正在计划扩大产能，但盖思新强调，从投资到生产线真正投产，至少需要“两年时间”，这决定了紧缺格局在短期内难以缓解。券商研究也佐证了这一观点，新增产能主要集中在2027年及以后释放，2026年行业将呈现需求快速增长而供给释放滞后的结构性错配。

持续的供应紧张正推动存储芯片价格强劲上涨，一些分析将此轮行情称为“超级周期”。研究机构Counterpoint预测，存储价格在2025年第四季度至2026年第二季度间可能经历多轮显著上涨。这对于下游终端厂商意味着成本压力陡增。有分析指出，在高端智能手机中，存储部分的成本可能已占到整机物料清单（BOM）的20%甚至更多。联想首席财务官也曾表示，入门级设备将率先感受到成本上升的压力。（陈十一）

盖思新的言论并非孤例。就在两周前，美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia也表达了类似观点，认为由于AI对高端半导体需求激增，存储芯片的紧缺状况将持续到2026年之后。市场研究机构Counterpoint的分析师甚至形容，“跟踪内存行业近20年了，这次真的不同……这真的是有史以来最疯狂的时期。”

从历史来看，内存芯片行业以其强烈的周期性波动著称，在短缺与过剩之间循环。但本次由AI引发的需求被普遍认为具有“结构性”和“持久性”特征，正在重塑行业的增长逻辑。正如盖思新所言，“现在对存储芯片厂商来说，是一个黄金时代。”然而，这个“黄金时代”对全球电子产业供应链带来的挑战，才刚刚开始显现。