北京
国家知识产权局信息显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121398067A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、外延层、阱区、源区、第一绝缘层以及第一电极层；外延层设置于衬底沿厚度方向的一侧；阱区位于外延层内，源区位于阱区内；第一绝缘层设置于外延层背向衬底的一侧；第一电极层设置于第一绝缘层背向衬底的一侧，第一电极层包括汇集部以及至少两个分支部，各分支部连接于汇集部的同一侧，沿汇集部的延伸方向，分支部在衬底上的正投影与源区在衬底上的正投影交错设置；其中，阱区包括沿分支部延伸方向设置的第一子区和第二子区，第一子区在衬底上的正投影与第二子区在衬底上的正投影不交叠，汇集部在衬底上的正投影落入第一子区在衬底上的正投影范围内。
天眼查资料显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本8499万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科新微特科技开发股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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