荷兰芯片专家：大概10年以后中国可以造出EUV光刻机，达到ASML目前的先进水平

在全球半导体技术激烈竞争的大背景下，一条来自荷兰的观点近日在国内科技圈引发热议：荷兰芯片专家认为，中国有望在大约10年以后，研制出可与荷兰ASML目前最先进水平相媲美的极紫外光刻机（EUV）。无论如何，这一观点本身就昭示着中国芯片技术在经历封锁与追赶后的新方向。

EUV（Extreme Ultraviolet）极紫外光刻机是当前制造最先进芯片——比如5nm、3nm甚至更先进工艺节点芯片——的核心设备。它通过13.5纳米极短波长光源，把芯片电路精确“刻画”在硅晶圆上。全球目前唯一能够规模化量产EUV光刻机的公司，就是总部在荷兰的ASML。这样的设备单价高达数亿美元，技术难度堪比“工业皇冠上的明珠”。由于美国等国家的出口管制，目前中国无法直接采购ASML最新的EUV光刻机，这也成为中国芯片自主可控进程中的一块“硬骨头”。

荷兰媒体提到，有专家表示，以中国目前的研发速度、投资力度和产业集聚效应来看，“中国有望在大约10年以后，自己研制出与ASML目前水平相当的EUV光刻机”。这一说法并非空穴来风，而是建立在对中国科技生态和潜力的现实观察上。

中国的科研投入强劲：近年来，中国产业界对半导体关键设备领域的投资逐年加大，特别是在光刻机、光学系统、光源技术等基础科学方向上的布局。人才与资源密集：国内科研机构、高校与企业逐渐形成大规模人才聚集效应，为复杂系统的研发提供了必要的智力基础。国产设备快速进步：在DUV（深紫外）光刻机等关键设备上，中国企业已经实现了从无到有、从追赶到局部领先的突破。

尽管无法直接购买ASML的EUV设备，中国的半导体产业并未停下脚步。近几年我们看到多个层面的突破：

国产光刻机在DUV层面已经取得实际成果，并在中低制程芯片生产中得到应用，这本身就是从“完全依赖进口”走向“部分替代”的标志性进展。尽管距离EUV仍有差距，但这种能力的积累极为关键。

大量科研力量投身到光刻机核心技术领域——如高精度光学元件、极紫外光源、超精密机械结构等。这些领域长期积累本身就需要极高的跨学科合作能力和工程经验。

中国本地的材料、零组件和设备制造能力越来越强，这为未来EUV光刻机的集成和制造打下了工业基础。

尽管前景令人振奋，但我们也必须直面现实：真正意义上的EUV光刻机不是一件“小产品”，它是一台集成光学、真空、力学、电控、软件、测试与稳定性保证于一体的系统工程。

一些权威人士（如ASML CEO）明确表示，由于出口禁令等原因，中国目前在芯片制造技术上与最先进水平仍有较大差距，预计落后约10至15年。这个判断主要基于产业生态、经验积累和整体制造能力等因素。

此外，制造EUV光刻机不仅仅是造出一个“机器”，而是建立一套完整的产业配套体系：包括极精密镜片、光源模块、控制软件、可靠性测试，到晶圆制造流程优化等多个环节，这些环节都需要长期积累与实战验证。

在全球科技竞争中，没有一步登天，也没有所谓“补课就能赶上”的捷径。中国半导体产业的每一次突破，都是无数工程师夜以继日的汗水，更是对困难的一次次正面迎击。

未来10年、中国制造自己的EUV光刻机仍将是一个长期而艰巨的目标，但正是这样的目标，激励着一代又一代科研人员投身于国家重大科技攻关中。无论结果如何，这场追赶之路本身，就是中国科技实力崛起的见证。

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