北京
国家知识产权局信息显示，芯动微电子科技（武汉）有限公司申请一项名为“一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块”的专利，公开号CN121398026A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块。DRAM颗粒模块包括DRAM颗粒和转接板；DRAM颗粒底部设置有多个第一焊球，转接板底部设置有多个第二焊球，DRAM颗粒通过多个第一焊球焊接到转接板上；多个第一焊球具有第一直径和第一球间隙，多个第二焊球具有第二直径和第二球间隙，第一直径小于第二直径，第一球间隙小于第二球间隙；转接板用于将由多个第一焊球传递的信号转换成由多个第二焊球传递，使得DRAM颗粒通过多个第二焊球与外界进行信号交互。本发明兼顾模块内部DRAM颗粒的高集成度和模块底部焊球的大间隙，能有效解决POP封装的DRAM颗粒难以应用在低阶PCB上的难题。
天眼查资料显示，芯动微电子科技（武汉）有限公司，成立于2020年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯动微电子科技（武汉）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目23次，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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