粤芯252亿项目启动，全球晶圆代工风起云涌！

1月22日，粤芯半导体项目四期启动建设，这一消息引发市场高度关注。在全球半导体产业竞争日益激烈的当下，各大厂商纷纷布局晶圆厂建设与产能扩充。

事实上，除了粤芯半导体启动四期项目建设外，近期，力积电、台积电、华虹宏力、英特尔等分别在晶圆代工领域披露了新动态，开工、买地、招标等消息时有传来。这些动作不仅反映了半导体市场的强劲需求，也预示着行业格局的进一步变化。

总投资252亿元！粤芯半导体四期项目正式启动

1月22日，粤芯半导体四期项目在广州黄埔区正式启动。

该项目总投资约252亿元，规划建设月产能4万片的12英寸数模混合特色工艺生产线，工艺技术节点覆盖65nm至22nm，预计2029年底建成投产，将围绕“感、传、算、存、控、显”六大方向，系统构建具备国际先进水平的数模混合、光电融合等特色工艺平台。

据了解，粤芯四期项目将精准对接AI、端侧AI、工业电子、汽车电子等前沿领域爆发性增长对特色工艺的迫切需求。

资料显示，成立于2017年的粤芯半导体是广东省自主培养且首家进入量产的12英寸晶圆制造企业，专注于模拟芯片制造，累计出货已超180万片。目前粤芯半导体拥有两座12英寸晶圆厂，分别为第一工厂（粤芯一、二期）和第二工厂（粤芯三期），规划产能合计为8万片/月。

其中，一期项目总投资55亿元，于2019年9月建成投产，主要技术节点为180-90nm制程，月产能2万片。二期项目总投资85亿元，将技术节点延伸至180-55nm工艺，新增月产能2万片。三期总投资162.5亿元，采用180-90nm制程技术，规划新增月产能4万片，于2024年12月通线投产。

此次启动的粤芯四期项目为第三工厂，建成后，粤芯半导体规划产能合计将达到 12 万片/月。北京大学信息工程学院院长杨玉超教授认为：“粤芯四期项目特色工艺的技术路线兼具先进性与可行性，关键工艺达到国际同等水平，是粤芯因应目标市场（产品）技术节点迁移的发展趋势，持续提升技术先进性并以此持续构建核心竞争力和长远发展能力的关键举措，精准契合国家对于高端模拟、数模混合、存算一体及光电融合芯片自主可控与创新发展的迫切需求。

力积电重组原有3座12英寸、2座8英寸晶圆厂生产资源

1月17日，晶圆代工大厂力积电宣布与美光科技签署独家合作意向书(LOI)，将铜锣厂以18亿美元现金售予美光。美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

据科技新报报道，力积电铜锣厂区土地面积逾11万平方米，整体厂区规划可兴建三座12英寸晶圆厂，单座月产能约4~5万片，目前已完成第一座厂房建设，但仅安装了约8000多片的产能设备。。

力积电董事长黄崇仁表示，未来力积电将瞄准AI供应链，重组原有三座12英寸、二座8英寸晶圆厂的生产资源，专注于AI应用所需的3D AI DRAM、WoW（Wafer on Wafer）、硅中介层（Interposer）、硅电容（IPD）、电源管理IC（PMIC）及功率元件（GaN/MOSFET）等高附加价值晶圆代工产品，并逐步减少非AI相关的业务，顺势优化力积电的产品组合以提升长期获利能力。

针对内部营运调整，力积电总经理朱宪国表示，该公司将在确保生产不中断及不影响FAB IP业务的前提下，将铜锣厂的人员、设备及产品线有序迁回新竹厂区。在汰换新竹厂区老旧设备的同时逐步淘汰低毛利产品，以降低对成熟制程代工业务的依赖，强化力积电营运体质。

斥资1.97亿美元，台积电在亚利桑那州凤凰城买地建厂

1月15日，台积电董事长魏哲家在第四季法说会上就晶圆厂建设进展及布局进行了说明。

当前，随着晶圆代工制程技术日益复杂，台积电与客户的合作时间已提前至少2–3年。魏哲家预期，未来整体营收成长将由智能手机、高效能运算（HPC）、物联网（IoT）及车用电子四大成长平台共同推动。

为应对市场需求增长，台积电计划增加产能。据魏哲家透露，台积电正尽可能提前现有的晶圆厂建置计划，并提高晶圆厂生产力，产出更多产能，必要时将N5产能转换以支援N3，并聚焦于各制程节点的产能优化。

在美国晶圆厂建设部分，台积电已加速亚利桑那州产能扩充并顺利执行计划，首座晶圆厂已于2024年第四季度成功进入高量产阶段；第二座晶圆厂建造已完成，工具搬迁与安装计划于2026年进行。因应客户强劲需求，亦提前生产排程，预计2027年下半年进入高量产阶段；至于第三座晶圆厂已开工建造，台积电也正申请第四座晶圆厂及首座先进封装厂的建造许可。

值得一提的是，台积电于近日发布公告称，公司子公司TSMC Arizona斥资1.97亿美元，在美国亚利桑那凤凰城取得土地，将供营运与生产使用。

魏哲家指出，近期完成邻近的第二块大面积土地购置，以支持现有扩建计划，并在面对长期AI强劲需求时提供更多灵活性。此计划将使台积电能在亚利桑那州建立独立的Gigafab集群，支援智能手机、AI及HPC客户的需求。

此外，台积电表示，其日本首座晶圆厂已于2024年底开始量产，良率表现优异；第二座晶圆厂建设已启动，其技术及量产排程将依客户需求与市场条件决定；德国德累斯顿特殊晶圆厂建设进度如期进行，量产排程将依客户需求及市场条件决定。同时，台积电正在新竹与高雄科学园区规划多阶段2纳米晶圆厂。

魏哲家表示，从2025年便观察到与AI相关的需求十分强劲，而非AI终端市场则趋于平稳，并出现小幅复苏。展望2026年，AI模型在消费、企业及AI领域的采用持续增加，推动对运算能力的需求，支撑了对最先进芯片的强劲需求。

38亿元，华虹Fab9B项目开启招标

据无锡市公共资源交易平台官网近日披露，华虹Fab9B项目招标已开启。

招标信息显示，华虹Fab 9B项目位于无锡市新吴区新洲路30-2号，已由无锡高新区（新吴区）数据局以江苏省投资项目备案证锡新数投备[2025]1374号批准建设，项目业主为华虹宏力半导体（无锡）有限公司。

据了解，该项目利用现有生产和动力厂房，新建洁净室和动力系统（包括机电、纯废水、化学品、特气等），并配置相应的工艺设备、量测和辅助设备、自动搬运系统及生产管理系统，坚持自主研发与适当引进的方式构建特色工艺技术平台，建设一条月产能达到5.5万片的12英寸特色工艺生产线。

项目招标合同估算价38亿元，设计开工日期为2026年2月10日，施工开工日期为2026年2月10日，工程竣工日期为2027年1月31日。

资料显示，华虹宏力半导体（无锡）有限公司成立于2025年10月30日，注册资本668万元。

天眼查信息显示，该公司由华虹宏力全资持股，经营范围包括集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路设计；集成电路芯片设计及服务等。

英特尔俄亥俄州晶圆厂工程启动？

据外媒Tom’s Hardware报道，英特尔位于美国俄亥俄州的“Ohio One”大型晶圆厂计划，近期出现实质推进迹象。

报道称，负责该项目的工程承包商Bechtel Group近日在其网站上发布了多条与Ohio One相关的工程与技术职位。

据Bechtel Manufacturing and Technology事业部门官网资讯，近期英特尔刊登的多个职位明确标注工作地点位于俄亥俄州新奥尔巴尼（New Albany），而该地点即为英特尔规划中的“硅谷中心（Silicon Heartland）”所在地。部分招聘信息显示，Bechtel正负责Ohio One第一阶段的设计与建造工程。

Bechtel在职位介绍中透露，Ohio One第一期工程占地约250万平方英尺，整体钢材用量相当于约8座埃菲尔铁塔。

据悉，英特尔于2022年宣布，将在美国俄亥俄州新奥尔巴尼市投资280亿美元建设两座先进半导体工厂，分别为Mod 1与Mod 2，整体园区未来最多可扩充至八座晶圆厂。

该项目原计划于2025年投入运营，不过，由于资金与市场等因素，已两次延期。最新时程显示，Mod 1将率先投产启用，Mod 2则可能在一年后投产，整体投产时间落在2030至2031年间。