【阳顶天】1秒14G，旗舰级硬盘的体验

十几年前，家用电脑的存储主力还是机械硬盘，最高顺序读写速度仅 0.2GB/s，寻道时间更是长达 15ms 左右。这直接导致开机时间普遍在 30 秒到 1 分钟以上，打开大型游戏也得经历漫长等待，堪称折磨。

十年前，SATA 固态硬盘开始逐步普及，顺序读写速度提升至 0.5GB/s 左右，寻道时间更是大幅缩减数百倍，降至 0.05ms 左右。最直观的感受就是开机速度显著提升，普遍能压缩到 10 秒左右，游戏加载也变得畅快了不少。

随着存储技术的持续迭代，固态硬盘速度不断突破，从 1GB/s 一路攀升至 2~3GB/s。就连“东芝”这个几乎是家喻户晓的硬盘品牌也改成了“铠侠”。那么如今铠侠就做出了一款非常炸裂的旗舰级硬盘产品，VE10，支持PCIe5.0协议，最大顺序读写速度提升到14.4GB/s左右！今天就带大家一同体验这款高速固态的实际表现。

这款铠侠VE101TB的规格如下：

容量：1024G

外置缓存：1GB

顺序读/写：14400MB/s与12700MB/s

接口：PCIe 5.0 x4

寿命/保修：600TBW/五年

售价：1199元

那么那实际体验如何呢，铠侠VE10相比常规的NVME固态来说，它的提升又有多少呢？

首先来用常用的软件测试直观的测试一下本次使用的平台为98X3D+华硕X870E Hero和258K+Z890 Hero，首先是大家最常用的硬盘跑分软甲你AS SSD Benchmark（简称AS SSD）：

相比前几代3.0和4.0来说，最为直观的就是顺序读写速度得到了空前的提升，软件测试均破万兆每秒读写。娱乐跑分达到了15000/17000分。

这次使用不同的平台测试硬盘还蛮有意思的，让我看到了厂商不同的调度策略。

AMD的X870E测试硬盘就只有顺序读写看起来比较吊。其他随机性能，寻道时间等等都比英特尔差。

而英特尔得Z890虽然顺序读写没AMD那么猛，但其余所有部分都要比AMD平台表现更好。【所以只看硬盘表现的话，其实intel平台是体验会更好一点的。】

然后是CrystalDiskMark（简称CDM）：

CMD跑出来的就比较接近官方宣称的数值了，顺序读写来到了14526/12725MB/s，其实CDM测试一般是要比AS SSD的测试成绩要好一些的，因为CDM 默认 5 轮测试取峰值；AS SSD 取平均值，并且由于算法原因（cdm是1000进制，AS SSD是1024进制），导致二者之间有明显区别。

总之就是AS SSD更贴近日常多任务使用；CDM更适合验证硬件极限性能。

然后是不太常见的3Dmark中的储存测试：

跑出了5259分的成绩，十分亮眼，是我测过的，分数最高的一个硬盘了。

这边找来了一个中端的PCIe4.0的固态，大家可以对比一下：

在测试中，给出的结论是要比4.0的固态快了一倍。

而在日常生活场景中，例如使用LM Studio中的32B大模型加载时间，模型大小为17GB的情况下，PCI E5.0的提升幅度可能并没有测试跑分那么猛，一其中最主要的原因是软件吃不到那么大的硬盘吞吐量性能（优化不到位）：

加载时间约为10秒，实测比高端PCIe4.0的固态的11秒只快了约10%

而打开大型游戏程序（黑神话悟空），实际上同样也是比其他4.0固态的43秒快了2秒，从点击游戏桌面图标到进入游戏菜单，总用时41秒。可有可无的提升幅度

外观在这里讲吧，常规的NVME造型，VE10延续了前几代的设计风格：

正面颗粒上方有贴纸，但贴纸本身并没有产品铭牌信息。

背面只有铭牌信息，没有颗粒。所以这个硬盘是采用的单面颗粒。适合某些高端笔记本用户的老哥

最后，来分析一下用料吧：

主控芯片：慧荣SM2508G AC

使用了采用台积电6nm EUV制程，是PCIe 5.0 SSD的旗舰主控；搭载四核心ARM Cortex R8 CPU，硬件架构为高性能级设计。

缓存芯片：南亚NT6AN256T32AV-J2

为LPDDR4 8Gbit（1GB）的独立DRAM缓存，这玩意速度非常快，主要作用就是给硬盘加速（类似与英特尔的傲腾内存）

闪存颗粒：TH58LKT2X46BAEF

属于铠侠（原东芝）的原厂TLC闪存，是目前消费级高性能SSD的主流颗粒方案。

VE10的价值并非对所有用户均等。对于部分需要海量数据吞吐的专业场景，其相较PCIe4.0固态的翻倍速度可能直接转化为生产力提升；高端硬件发烧友也能借其补齐“性能全家桶”的最后一块拼图（毕竟富哥只要最好）。但对于仅满足游戏加载、日常办公的普通用户，VE10在实际体验中的提升就比较有限了。