北京
国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种多深度硅波导的制备方法”的专利，公开号CN121364528A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种多深度硅波导的制备方法，包括步骤：提供一设有自下而上依次堆叠有下包层和硅层的半导体衬底，硅层包括第一预设凹槽区和第二预设凹槽区，形成硬掩膜层于硅层上，基于第一光罩图形化硬掩膜层形成第一开口和第二开口，形成第一光刻胶层于硬掩膜层上并基于第二光罩图形化第一光刻胶层，对硅层进行刻蚀以形成具有第一深度的第一凹槽于第一预设凹槽区中，去除第一光刻胶层，形成第二光刻胶层于硬掩膜层上并基于第三光罩图形化第二光刻胶层，对硅层进行刻蚀以形成具有第二深度的第二凹槽于第二预设凹槽区中，第二深度与第一深度不同，去除第二光刻胶层。本发明的多深度硅波导的制备方法能够节省工艺制备中的光罩成本，简化工艺步骤。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目274次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息537条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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