北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“通孔的制造方法”的专利，公开号CN121368380A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：在底层结构的表面上形成第一介质层。对第一介质层进行图形化刻蚀形成通孔开口。形成第一金属层。进行第一次金属CMP将通孔开口外表面上的第一金属层去除，通孔开口中的第一金属层的顶部表面位于第一介质层的顶部表面之下。进行第二次介质回刻用以对第一介质层进行选择性刻蚀并使第一介质层的顶部表面下降到第一金属层的顶部表面之下并形成通孔的金属凸起；第二次介质回刻保证金属凸起面内均匀且无刮伤缺陷。形成上一层金属互连层图形；金属凸起保证通孔和上一层金属互连层图形实现完全接触并防止高电阻和断路。本发明能形成通孔的无缺陷且高度均匀可控的金属凸起，使通孔金属层和上一层金属互连图形良好接触。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2094次，专利信息2679条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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