北京
国家知识产权局信息显示，苏州凌存科技有限公司申请一项名为“一种硅电容器及其制备方法”的专利，公开号CN121368171A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种硅电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供的硅电容器包括：硅晶圆，包括相对设置的上表面和下表面；硅晶圆的上表面的中心区域设有多个沟槽，沟槽的开口与硅晶圆的上表面齐平；在硅晶圆的上表面无沟槽区域和沟槽内设有介电层薄膜；在介电层薄膜上表面、与中心区域对应位置处设有硅电容的上电极；在介电层薄膜上表面、与硅电容的上电极间隔第一预设距离处，设有MIM电容的上电极，硅电容和MIM电容的上表面齐平；金属线，金属线连接硅电容和MIM电容的上表面；在硅晶圆的下表面和金属线的上表面分别设有第一电极和第二电极。本申请提供的硅电容器及其制备方法，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本。
天眼查资料显示，苏州凌存科技有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1117.5891万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州凌存科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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