北京
国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“刻蚀方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121358187A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该方法包括：执行第一刻蚀步，刻蚀膜层的部分深度，以在膜层内形成至少两个沟槽；在沟槽的部分深度内填充牺牲层，每个沟槽内的牺牲层的顶面齐平；执行第二刻蚀步，刻蚀牺牲层以及至少部分沟槽底部的膜层，直至去除牺牲层，第二刻蚀步刻蚀牺牲层与刻蚀膜层的速率相等。执行第一刻蚀步形成的沟槽的深度可能不一致，在每个沟槽内重构一层顶面齐平的牺牲层，接下来执行第二刻蚀步，由于每个沟槽内的牺牲层的顶面是齐平的，并且刻蚀牺牲层与刻蚀膜层的速率是相等的，每个沟槽内的刻蚀量理论上也应该相等，最终沟槽的深度可以达到一致，从而提高了沟槽深度的均匀性。
天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1358次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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