北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“热场调节装置、单晶炉和热场调节方法”的专利，公开号CN121344772A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种热场调节装置、单晶炉和热场调节方法，热场调节装置应用于单晶炉，单晶炉包括炉体，炉体内设置导流筒，导流筒的中心被设置为晶棒提拉区域，热场调节装置设置于导流筒的内侧壁和晶棒提拉区域之间，热场调节装置包括：沿着导流筒的径向方向层叠设置的电热薄膜和电极层，以及外置于炉体的控制单元；所述控制单元被配置为通过控制所述电极层的通电状态，以调节施加于所述电热薄膜上的电场的强度，使得所述电热薄膜在吸热状态和放热状态之间转换。基于电热效应原理，所述控制单元通过控制所述电极层的通断电，以使得所述电热薄膜在吸热状态和放热状态之间转换，能够显著提升热场的响应速度，有效抑制瞬时温度波动。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，专利信息1496条，此外企业还拥有行政许可24个。
西安奕斯伟硅片技术有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本660000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟硅片技术有限公司参与招投标项目385次，专利信息1036条，此外企业还拥有行政许可53个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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