北京
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121357938A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，利用石墨烯场板采代替传统的金属场板，石墨烯材料相对于金属材料，其载流子迁移率更高，其电阻尤其在高频状态下远低于金属材料，可以降低器件的电阻损耗，金属场板因表面粗糙度和应力的关系，对于场板下方的介质层厚度有一定要求，而石墨烯为二维材料，与介质可以紧密接触不存在缺陷，因此场板下方的介质层厚度可以做到更薄，从而降低栅漏电容，另外，石墨烯为二维材料，可以避免场板侧壁引入边缘电场，从而可以减少栅漏电容的寄生分量。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息130条，此外企业还拥有行政许可83个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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